现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板，能够提供高达11kW的800 V输出电压，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性，是电动汽车和能量存储系统（ESS）等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机，50 kW 至 350 kW 的充电机，储能系统，电动汽车快速充电，功率转换系统 （PCS）►场景应用
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mosfet dc-dc 英飞凌 ipcdcdc infineon 终端 功率 dc 充电器
智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而，在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下，人们开始探索更快的电量补给，以高效充电来压缩充电时间，降低充电的时间成本，从而换取设备的便携性，提升用户体验。目前，USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格，以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
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上海贝岭 驱动IC MOSFET
随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 栅极驱动器 SiC 逆变器
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
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罗姆半导体，MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
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东芝 SiC MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，昨天美国时间举行了剪彩仪式，庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链，从SiC粉末和石墨原料的采购，到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证，以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
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安森美 碳化硅工厂 SiC
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET (DrMOS)技术及其在稳压器模块(VRM)应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。引言随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些器件需要的功率急剧增加。微处理器所需的这种电源由稳压器模块(VRM)提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率
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ADI MOSFET 电源系统设计
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
由于 SiC 具有更快的开关速度，因此对于某些拓扑结构，可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要，最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分，因此 SiC 将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加，充电桩将大规模部署，另外，SiC 最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料，因为它可减少车辆的整体尺寸和重量，且能效更高，可延长电池使用寿命。安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人 吴桐 博士安森美 (onsemi) 在收购上游
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202207 安森美 SiC
受访人：安森美首席碳化硅专家，中国汽车OEM技术负责人吴桐博士1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)具有较高的电子迁移率和较高的能带隙，用它们制成的晶体管具有比硅基晶体管更高的击穿电压和更耐受高温，可以突破硅基器件的应用极限，开关速度更快，导通电阻更低，损耗更小，能效更高。 GaN的开关频率比SiC高得多，而SiC的可靠
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安森美 SiC
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
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TI 第三代半导体 GaN SiC
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