SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇：● 2020《仿真看世界之SiC单管的寄生导通现象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET单管并联均流特性》2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。特别提醒：仿真只是工具，仿真无法替代实验，仿真只供参考。在展开
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英飞凌 SiC
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能
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豪威集团 MOSFET
双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满足更高功率和更低的能效、更远续航、更小损耗和更低的重量，以及向800 V迁移的趋势中更能发挥它的优势，但面临成本、封装及技术成熟度等多方面挑战。安森美(onsemi)提供领先的智能电源方案，在SiC领域有着深厚的历史积淀，是世界上少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商之一，其创新的VE TracTM Direct SiC
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安森美 SiC 逆变器
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？引言选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术，设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压，从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET，从而简化栅极驱动电路。为此，本文介绍了
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英飞凌 MOSFET
高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID宣布，公司已与NAC Group和Advanced Conversion（为要求严苛的应用提供高性能电容器的领导者）开展合作，以提供紧凑且优化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器（见下图）的设计提供完整的硬件和软件平台。CIS
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CISSOID SiC
随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间权衡取舍的挑战，安森美(onsemi)基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。安森美是领先的智能电源方案供应商之一，也是全球少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商，提供先进的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模块技术，以及广泛的分立器件、门极驱动器等周边器件，满足低
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安森美 SiC
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。引言过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。经过不断研究和持续优化，现在，全新推出的CoolSiC™ MO
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英飞凌 MOSFET
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。作为系列文章的第一部分，本文将先就SiC
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富昌电子 SiC MOSFET
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了
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SiC FET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
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MOSFET 栅极驱动
导读】事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下，转速高达10万转以上，输出频率可达2000Hz，调制频率50kHz以上是常见的设计，SiC MOSFET是很好的解决方案。但是，SiC的高dv/dt和谐波会造成空压机线包发热和电机轴电流。一般的对策有二：1.采用大的栅
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英飞凌 MOSFET 2L-SRC
_____开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得到正确的结论，获得精准的开关过程波形至关重要。SiC MOSFET相较于 Si MOS 和 IGBT 能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 与 Si 开关器件的一个重要区别是它
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Tektronix SiC MOSFET
在线性模式供电的电子系统中，功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器，电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。 意法半导体 (ST) 推出了一款采用先进的 STPOWER STripFET F7制造技术和H2PAK 封装的 100V功率 MOSFE
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意法半导体 功率 MOSFET 耐用性
提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标，需要提高开关频率，从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术，可以 大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开 关下，能够改善效率，能够降低应用的尺寸，还能够降 低功率开关的应力，因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用，包括高端服务
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MOSFET
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