sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器STGAP3S为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能
- 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
- 关键字： 意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200V SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
- 关键字： 东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
- 关键字： SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
全球有多少个8英寸碳化硅晶圆厂？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
- 关键字： SiC
Littelfuse推出高频应用的IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。IX434x系列现在包括双路同相、双路反相以及同相和反相输入版本，为客户提供了全面的选择。IX4341和IX4342驱动器具有16纳秒的短传播延迟时间和7纳秒的短暂
- 关键字： littlefuseli MOSFET
6.6 kW车载电动汽车充电器设计
- 我们采用单全桥LLC拓扑结构，以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390（U60）是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备，可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息，请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高（250−450 Vdc），同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
- 关键字： 车载电动汽车充电器 NVHL060N090SC1 SiC
sic mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic mosfet的理解，并与今后在此搜索sic mosfet的朋友们分享。 创建词条
欢迎您创建该词条，阐述对sic mosfet的理解，并与今后在此搜索sic mosfet的朋友们分享。 创建词条
sic mosfet相关帖子
sic mosfet资料下载
sic mosfet专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473