导读：本文主要介绍的是高频开关电源的原理，感兴趣的盆友们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~
1.高频开关电源原理--简介
高频开关电源，其英文名称为Switching Mode Power Supply，又称交换式电源、开关变换器以及开关型整流器SMR，它是一种高频化电能转换装置。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。它主要是通过MOSFET或IGBT的高频工作，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。
2.高频开关电源原
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开关电源 MOSFET 高频开关电源原理
SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计，SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见，SiC即将成为半导体行业的新宠!
SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势：
i. 低导通电阻RDS
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SiC Mosfet DC-DC
全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为
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ROHM SiC-MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互补式双 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负载点转换器，为专用集成电路提供从3.3V下降到1V的核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。
降压转换器可利用独立的脉冲宽度调制控制器及外部MOSFET来提升设计灵活性，
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Diodes MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM于今年夏季将分别在成都(06/12)、长沙(06/26)、苏州(07/10)、青岛(07/ 24)、哈尔滨(08/07)等5个城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活动。在展示ROHM最新产品和技术的同时，还包括了由半导体业界专家和ROHM工程师带来的主题演讲，获得了众多工程师的盛情参与。
“2015 ROHM科技展”以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，从应用层面出发，介绍功率电子、传感器网络
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ROHM SiC
宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)实现大电流承载能力。
与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比，这些全新晶体管的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍，是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D
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宜普电源 MOSFET
本系统的电路板已经设计成功并投入实际测试，系统电路板如图7.1所示。
对锂电池组管理系统的测试主要包括电压采集、温度采集、电流检测、过充和过放电保护功能、短路保护功能、温度保护功能等内容。
7.1电压采集功能测试
测试电压采集功能时，首先按图7.2所示方法连接系统。
将锂电池组、保护器和上位机连接好后，用4位半高精度万用表对所有单体锂电池的电压(用电池组模拟器产生)进行测量，并观察上位机应用程序显示的数据，进行比较和记录。
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锂离子电池 MOSFET
引言
长期以来，电动机作为机械能和电能的转换装置，在各个领域得到了广泛应用。无刷直流电动机综合了直流电动机和交流电动机的优点，既具有交流电动机结构简单、运行可靠、维护方便的特点，又具有直流电动机运行效率高、调速性能好的优点。正是这些优点使得无刷直流电动机在当今国民经济的很多领域得到了广泛的应用。无刷直流电动机采用电子换向装置，根据位置传感器检测到的位置信号，通过DSP(数字信号处理器)产生一定的逻辑控制PWM波形来驱动电动机，实现无刷直流电动机的平稳运转。近年来，随着工业的快速发展，对产品性能的
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DSP MOSFET
1 MIL-STD-1275D 的要求
MIL-STD-1275D 定义了各种情况，最重要的是，对稳定状态工作、启动干扰、尖峰、浪涌和纹波情况做出了规定。MIL-STD-1275D 针对 3 种独立的“工作模式”制定了对上述每一种情况的要求：启动模式、正常运行模式和仅发动机模式。
在描述尖峰、浪涌、纹波以及其他要求的细节之前，先来看一下工作模式。毫不奇怪，“启动模式”描述的是引擎启动时发生的情况;“正常运行模式”描述的
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凌力尔特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 纹波
目前世界每年所生产的800万辆汽车之中，传统的12V电池系统仍然是主导技术，用来为电动汽车提供电源，汽车电气化的趋势会继续加重12V电池系统的负担。现在，总负载已经轻松达到3 kW或更高。更具创新性的信息娱乐系统(例如数字视频和触摸屏);更复杂的安全特性，如电子驻车制动器(EPB)，防抱死制动系统(ABS);和节油功能，如电子动力转向(EPS)，起停微混合，48V板网结构……，都能将功率要求提到更高的水平。另一方面，严格的整体要求主要在于促进降低油耗，混合和电动汽车迅速增长
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COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片
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4 设计趋势
目前BCM设计技术日新月异，主要的趋势是平台化灵活性更高，集成度更高和分布式设计者三大方向。另外随着ISO26262安全规范的推行，关于功能安全的考虑在BCM设计中将会得到更多的体现。
4.1 集成度和灵活性
随着汽车电子的发展，目前BCM设计的趋势是平台化和高集成度化两个趋势。平台化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低边可配等。 主要通过器件的兼容性来实现。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系统基础芯片将电源、CAN收发器、LIN收发器集成到一个
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BCM ECU LED 负载 MOSFET SPI
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2.2 驱动类型
在BCM设计中涉及到许多负载，对应不同的负载会采用不同的驱动类型，主要包括开关驱动和LED驱动两类。
2.2.1 开关驱动
驱动类型主要是从驱动负载的电路拓扑加以考虑，主要有高边驱动、低边驱动、半桥驱动和全桥驱动(包括两相全桥和三相全桥)四种，如图8所示。
这四种拓扑常采用开关器件来实现，开关器件种类很多，其中常见的有机械开关和半导体开关两种，出于能效和寿命方面的优势，目前半导体开关是BCM设计中的主流选择。半导体开关中有三极管、MOSFET和I
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BCM ECU LED 负载 MOSFET MCU
1 汽车电气化要求系统设计者提高电源密度
由于严格要求降低CO2污染和提高燃料经济性，汽车制造商更加积极地寻找电气解决方案(所谓的“汽车电气化”)。用创新型电子电路代替机械解决方案(例如转向系统、继电器等)如今已成了主流趋势。然而，汽车电气化的趋势会继续加重12V电池系统的负担。现在，总负载能够轻松达到3 kW或更高，还有很多汽车应用将汽车的电力负载提高到更高的水平。
节油功能(例如电动助力转向(EPS)、启停微混合和48V板网结构)、更复杂的安全特性(例如电动驻车
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MOSFET DPAK SO-8 PQFN PCB
有线、无线网络以及云计算的快速膨胀，这是摆在人们眼前的重要趋势。这一上层的大趋势，带动了下层的硬件及其组成部分的发展趋势。网络吞吐量的迅速攀升，需要强大而复杂的FPGA和处理器等来做性能支持。而这，需要高性能、高可靠的电源模块来作保障。
最近，Intersil发布了最新的50A密封式数字电源模块ISL8272M，从它我们可以看出电源模块领域的一些最新趋势。
Intersil公司高级应用经理梁志翔介绍说，Intersil开发电源模块产品的历史大概要从2008年开始算起，ISL8272M可以说
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Intersil ISL8272M MOSFET 201504
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此噪声测量主要指电子元件和器件、网络和系统的热噪声和特性的测量。
附加相位噪声测试技术及注意事项
本文简单介绍了相位噪声的定义，详细介绍了附加相位噪声的测试过程，给出了实际的测试结果，指出了附加相位噪声测试过程中的一些注意事项，希望对附加相位噪声测试人员有一定的借鉴意义。
用于4G-LTE
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模块电源 MOSFET
sic mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic mosfet的理解，并与今后在此搜索sic mosfet的朋友们分享。
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