高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司 (Micrel, Inc.) 今天推出一款 85V 全桥 MOSFET 驱动器 MIC4606，该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的极其成功的 85V MOSFET 驱动器系列的成员，专注于满足多种应用不断增长的电力需求。85V MIC4606 系列是麦瑞半导体为满足电池供电的工具、不间断电源、无线电控制的玩具和不断增长的无人机市场的需求而实施的策略的一部分。MIC
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麦瑞半导体公司 MOSFET MIC4606
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、业界最低静态电流的700V转换开关，其功耗是现有解决方案的一半，这进一步壮大了 TI 面向离线AC/DC设计的高电压电源解决方案阵营。该UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高电压电流电源，可帮助输出电流高达100mA的常通电非隔离式电源系统提升整体能源效率，且充分满足智能电表、家庭自动化设备以及大型家用电器等应用需求。如欲了解更多详情，敬请访问：www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。
TI高电压电源
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德州仪器 AC/DC MOSFET
如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数?
很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题、PCB layout问题、元器件的参数和类型选择问题等。其实只要了解了，使用开关电源设计还是非常方便的。
一个开关电源一般包含有开关电源控制器和输出两部分，有些控制器会将MOSFET集成到芯片中去，这样使用就更简单了，也简化了PCB设计，但是设计的灵活性就减少了一些。
开关控制器基本上就是一个闭环的反馈控制系统，所以一般都会有一个反馈输出电压的采样电路以及
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开关电源 PCB MOSFET
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低静态电流 (IQ) Hot SwapTM (热插拔) 控制器LTC4231，该器件允许电路板或电池安全地从 2.7V 至 36V 系统中插入和拔出。LTC4231 控制一个外部 N 沟道 MOSFET，以平缓地给电路板电容器加电，从而避免瞬态放电、连接器损坏和系统干扰。器件在正常工作时静态电流仅为 4µA，在停机模式则降至 0.3µA。为确保低电流工作，欠压和过压阻性分压器连接至一个选通接地，
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凌力尔特 MOSFET LTC4231
摘要：本文介绍了常见的几种在汽车车身上的电机应用，包括直流有刷电机控制，有霍尔/无霍尔直流无刷电机控制和永磁同步电机控制，不论是哪一种电机控制方案，英飞凌公司推出的基于ARM内核的Embedded Power IC都是最理想的选择。
引言
随着电机在汽车上的广泛应用，如何降低能耗，减少噪音，成了工程师们面临的新难题，传统的电动油泵、电动水泵和散热风扇由继电器控制直流电机的开通或者关断，不能进行调速，在怠速状况时电机仍然高速运转，如果采用脉宽调制控制的直流电机或者三相电机，则可以在不同的工况
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英飞凌 ARM 电机控制 MOSFET 微控制器 201409
矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。
全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处：矢野经济研究所)
2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。虽然2012年为负增长，但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。
预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究所预测，2020年全球功率半导体市场规
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SiC 功率半导体
启动一个硬件开发项目，原始的推动力会来自于很多方面，比如市场的需要，基于整个系统架构的需要，应用软件部门的功能实现需要，提高系统某方面能力的需要等等，所以作为一个硬件系统的设计者，要主动的去了解各个方面的需求，并且综合起来，提出最合适的硬件解决方案。比如A项目的原始推动力来自于公司内部的一个高层软件小组，他们在实际当中发现原有的处理器板IP转发能力不能满足要求，从而对于系统的配置和使用都会造成很大的不便，所以他们提出了对新硬件的需求。根据这个目标，硬件方案中就针对性的选用了两个高性能网络处理器，然后还
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硬件设计 Linear MOSFET
封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得不可或缺。
计算机、工业及电信领域的电源应用设计人员通常使用分立式 MOSFET 支持更高的轨道电路，以提升电源效率，但其难点是如何设计出尽可能小的外形尺寸。现在，设计人员可通过与德州仪器(TI)最新电源模块 II 系列的同步 NexFET™ 电源双管 MOSFET结合，同时实现高效率、低导通电阻以及业界最小尺寸的效果。
最新超薄电源块 II 器件不仅可使产品变得更密集，同时还可
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MOSFET 封装 NexFET
三菱电机开发出了支持50kHz左右高频开关动作的工业设备用混合SiC功率半导体模块，并在7月23～25日举办的“日本尖端技术展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。该模块组合了高频用Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC-SBD(肖特基势垒二极管)，从2014年5月开始样品供货。
据介绍，新产品可用于光伏发电用逆变器等多种工业设备，尤其适合经常采用高开关频率的医疗设备用电源。新产品有6种，耐压均为1200V，额定电流为100A～600A不等。通过采
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SiC 医疗设备
氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广
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宜普 EPC MOSFET
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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DC/DC转换器 宽电流 MOSFET 集成型稳压器
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而
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IR MOSFET COOLiRFET
美国阿肯色大学研究人员已经设计出可在温度高于350°C (大约660°F)时工作的集成电路。该研究由美国国家科学基金(NSF)提供资助，研究成果可以提高用于电力电子设备、汽车和航空航天设备领域的处理器、驱动器、控制器和其他模拟与数字电路的功能，因为所有这些应用场合的电子设备都必须在高温甚至经常在极限温度下运行。
阿肯色大学电子工程学院特聘教授Alan Mantooth说，“坚固性允许这些电路被放置在标准硅基电路部件无法工作的地方。我们设计了性能优越的信号处理电路模
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SiC 集成电路
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