- 日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.co
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德州仪器 MOSFET CSD16570Q5B
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封装) 可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。
新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流
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Diodes 驱动器 MOSFET
- 领先的高性能集成电路和系统解决方案提供商Exar公司，即日宣布发布一款6V至40V的工作电压范围，四路输出可编程通用PMIC-XR77129。其专利性的控制架构，采用17-bit宽PID电压型输入前馈方式，非常适合40V输入电压范围。该控制器提供单输入电压，四路输出电压轨，降压式控制器内部集成MOSFET门极驱动和双LDO输出该产品还可以通过I2C总线实时监测电源状态，动态控制输出电压参数。五个可配置GPIO可以用于状态指示和时序控制，以加速电源系统设计。
XRP77129使用Exar设计工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限，难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通电阻，以降低开关损耗和导通损耗。这些快速开关器件容易触发开关瞬态过冲。这对SMPS设计中电路板布局带来了困难，并且容易引起了栅极信号振荡。为了克服开关瞬态过冲，设计人员通常采取的做法是借助缓冲电路提高栅极电阻阻值，以减慢器件开关速度，抑制过冲，但这会造成相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件，总是存在效率与易用性的
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寄生电感 MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注：
·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。
·[2]Qoss：输出电荷。
主要特性
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东芝 MOSFET 低导通电阻
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。
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国际整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圆代工产能卡位战提前启动，法人指出，联电8寸厂能已被指纹辨识芯片、LCD驱动IC，以及电源管理IC客户抢购一空，明年将成为8寸晶圆代工大赢家。
过往8寸晶圆厂主要生产LCD驱动IC、电源管理芯片等产品，随著苹果新机导入指纹辨识芯片，非苹阵营明年全面跟进，相关芯片厂也开始卡位8寸晶圆产能，造就市场荣景。
此外，原以6寸生产金属化合物半导体场效晶体管(MOSFET)也为了提升竞争力，相继转入8寸厂生产，让8寸晶圆厂产能更为吃紧。
包括指纹辨识芯片、LCD驱动IC及电源管理芯片三大半
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联电 MOSFET LCD
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 输入同步降压型开关稳压器 LT8640。该器件采用独特的 Silent Switcher® 架构，整合了扩展频谱调制，即使开关频率超过 2MHz 时，依然能够将 EMI / EMC 辐射降低超过 25dB，从而使该器件能够轻松地满足汽车 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在开关频率为 2MHz 时可提供高达 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 输入电压范围使该器件非常适合
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凌力尔特 LT8640 MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解决方案，并展示在评估电路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美国国防部制定的标准，规定了地面军用车辆所用 28V DC 电源的稳态和瞬态电压特性。当面对 MIL-STD-1275D 中严格规定的浪涌、尖峰和纹波波形时，DC2150A 可将输出电压限制到安全的 44V。就大多数应用而言，要满足该标准就是简单地将 DC2150A 电路放置到容限为 44V
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凌力尔特 DC2150A MOSFET
- 近年来，随着柔性屏幕、触控技术和全息技术在消费电子领域的应用日益广泛，智能手机、平板电脑等智能终端功能越来越多样化。加上可穿戴设备的兴起、汽车电子的发展、通信设备的微型化，设备内部印制电路板所需搭载的半导体器件数大幅提升，而在性能不断提升的同时，质量和厚度却要求轻便、超薄。有限的物理空间加上大量的器件需求，对电子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各个领域元器件小型化的需求日益高涨。小型化不仅是过去几年的发展方向，也是将来的趋势。
谈到元器件的小型化，我们就不得不提为此作
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ROHM 半导体 SiC
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
- 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的最新超结 (super-junction) 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。
MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术，取得了比上一代产品更低的导通电阻 (RDS(ON))，以及更低的栅电荷量 (QGD) 和输入/输出电容 (Ciss/Coss)。此外，这些产品更进一步降低了能耗和热耗散 (heat dissipation)
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意法半导体 MOSFET PowerFLAT
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