- 2013年11月22日，日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，在第十五届中国国际高新技术成果交易会(简称高交会)电子展上围绕“智慧与科技的双赢，尽在东芝智能社区”这一主题，重点展示了面向移动终端、家用电器、汽车电子、工业电子以及存储等五大应用领域的创新技术与解决方案。
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东芝 存储卡 MOSFET
- 引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换...
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IGBT MOSFET
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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三菱电机 SiC
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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MOS管 驱动电路 MOSFET 导通特性 AN799
- 一、LED的出现打破了传统光源的设计方法与思路，目前有两种最新的设计理念。1.情景照明:是2008年由飞...
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LED MOSFET
- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工...
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MOSFET 电源设计
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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SiC 二极管
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者 Power Integrations公司(纳斯达克股票代号：POWI)日前宣布推出HiperTFS™-2系列IC - 一款同时集成了高压MOSFET、双管正激和反激电源控制器的IC。如此高的集成度可节省超过20个元件，从而减小外形尺寸并提高功率密度。
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Power MOSFET HiperTFS-2
- 在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。
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飞兆 MOSFET SPS 驱动器
- 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降低损耗提高效率，SiC-SBD专长于高速开关动作，再加上注重最佳音质的制造工艺技术，能够实现高音质音响效果。
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新日本无线 SiC-SBD MUSES
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。
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TI MOSFET 导通电阻
- 现在的专业软件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而处理的对象也是越来越复杂，特别是使用一些仿真软件在高精度下建模仿真的时候，因为PC上硬件的发展速度慢于软件功能复杂化的速度，就造成了我们的仿真看起来是越跑越慢了。
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Simulink 仿真速度 操作系统 MOSFET
- MOSFET，中文名金属-氧化层-半导体-场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
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MOSFET 晶体管 datasheet 漏极电流
- 电机的应用非常广泛，遍及人们工作及生活的各个领域，如打印机、复印机、传真机、投影仪、电冰箱、洗衣机、空调、燃气灶、照相机、ATM机、电动缝纫机、保安摄像机、自动售货机、热水供应系统、园林灌溉系统及工业自动化等。
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安森美 电机驱动 步进电机 MOSFET 驱动器
- 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。研讨会将在中国武汉的长江大酒店召开。
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Vishay MOSFET
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