- 电源技术的市场需求一直离不开高能效和清洁能源，在这两个大的市场需求推动下，电源技术对高能效的追求已经不是简单的设计能够满足的，新的高能效密度的新材料成为市场的主要推动力。
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电源管理 MOSFET 智能电网 201401
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 现各大公司的MOSFET驱动器层出不穷，主要是针对小功率使用，使用有很多限制。在工业应用上，大批还是用传统的驱动...
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MOSFET 驱动结构
- 移动电话渗透率在已开发市场达到了很高比例，而在世界上其他地区也不断提高。根据GSMA的信息，先进的欧洲国家的移动用户渗透率已经超过90%。开发中市场的平均渗透比例将由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未来5年内刺激全球移动市场增长的最大因素。
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安森美 MOSFET 电阻 移动设备 LED
- 对于MOSFET，工作时候与变压器原边串联，由于变压器漏感和MOSFET较大的开通电容的影响，使得其关断时候会承受一个...
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MOSFET 变压器
- 为了限制油耗，一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时，这些创新的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时，就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。
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MOSFET 二极管 PCB 稳压器 P-FET
- 电荷泵的基本原理是，电容的充电和放电采用不同的连接方式，如并联充电、串联放电，串联充电、并联放电等，实现升压、降压、负压等电压转换功能。
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电荷泵 Cboot MOSFET 电路
- 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出一款新型带电源模块的三相BLDC电机栅极驱动器MCP8024。该器件能够为dsPIC®数字信号控制器(DSC)和PIC®单片机(MCU)供电，同时驱动六个N沟道MOSFET。
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Microchip 电机系统 MCP8024 MOSFET
- 2013年12月4日，英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY)宣布，在今年的电气自动化系统及元器件(SPS IPC Drives)贸易展上，英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。
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英飞凌 驱动器 IGBT MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
- 最近，碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
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光伏逆变器 SiC BJT
- 摘要：传统高功率LED驱动电源大多采用直流并联LED的方式工作，成本低，容易实现，但目前高亮度LED消耗的电流可达350mA甚至更高，因此传统方法的损耗极大，效率低;本文提出了一种串联输入多并联驱动电源的实现方法，具有高性价比，输出电流大，失真度低，且具有优异的串电流调节功能等优点。
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LED 照明驱动 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
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