- 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会产生散粒噪声，并且可能携带内部结构的信息。这使人们对宏观电子元器件中散粒噪声研究产生了极大的兴趣。另一方面，随着器件尺寸的不断缩小，MOSFET器件中散粒噪声成分也越来越显著，已经严重影响器件以及电路的噪声水平，人们必须要了解电子元器件中散粒噪声的产生机理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪声，实现器件和电路的
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MOSFET
- CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔离式栅极驱动器产品。HADES® 旨在面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器应用。凭借 CISSOID 产品无与伦比的耐用性，栅极驱动器 HADES® 在严酷的环境下可实现更高可靠性和更长的使用寿命，从而满足系统设计者对航空、汽车、工业、石油和天然气市场的应用需求。
HADES®包括气密性陶瓷封装和塑料封装两种，前者可以在温
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CISSOID MOSFET
- 摘要：联合收获机凹板间隙的大小是影响联合收获机脱离质量的关键因素之一，本文设计了一款基于联合收获机的凹板结构，通过控制线性驱动器对凹板间隙进行自动调节的系统，实现了联合收获机凹板间隙自动调节，通过试验研究结果表明：该系统调节方便实用，且调节精度在5%以内。
引言
谷物联合收获机的作业性能指标，主要包括总损失率、破损率和含杂率等。脱粒与分离滚筒是谷物联合收获机的重要工作部件。脱粒与分离滚筒由高速旋转的滚筒和固定的弧型凹板配合，使谷物从滚筒与凹板之问通过，经脱粒元件的打击、揉搓、碾压和梳刷，通
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凹板间隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504
- 摘要：本文通过对大唐恩智浦访问，分析国产汽车电子现状以及分析未来汽车电子发展现状。
中国看世界，汽车电子是一个经久不衰的市场;而世界也在看中国, 中国是否已准备好在这个市场上大展宏图?中国首个汽车半导体设计合资公司成立一年了，名称为“大唐恩智浦半导体有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下简称：大唐恩智浦)，占尽着天时、地利、人和，如何通过建立起新型合作模式，用全球的视角去赢取市场呢?通过与总经理张鹏岗的交流，使笔者对其创新理念
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大唐恩智浦 MOSFET 汽车电子 201504
- 继电器是一种电控制器件，是当输入量(激励量)的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路)之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
极限条件下的时间继电器设计方案
时间继电器是一种使用在较低的电压或较小电流的电路上，用来接通或切断较高电压、较大电流的电路的电气元件，也许可
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PIC18F6585 MOSFET
- 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET(能在175° C下工作)的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。 更高的工作温度将功率密度提高了85%，可靠性比额定值为150° C业内标准值的MOSFET高三倍。
这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准，换言之，其最大结温可高达150° C，超过标准150° C MOSFET能达到的125°
- 关键字：
Fairchild MOSFET
- 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET(能在175° C下工作)的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。 更高的工作温度将功率密度提高了85%，可靠性比额定值为150° C业内标准值的MOSFET高三倍。
这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准，换言之，其最大结温可高达150° C，超过标准150° C MOSFET能达到的125° C，使更大的设计裕量成
- 关键字：
Fairchild MOSFET
- 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选
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Fairchild MOSFET
- 摘要：在很多消费电子设备中用到了软启动电路与防反接电路，其保护作用非常显著。多数的设计中，这两种电路独立存在，或者仅有一种保护电路，导致部分保护功能缺失或者电路设计复杂。本设计提出一种设计方法，同时实现软启动与防反接保护功能，且电路简单。
软启动与防反接保护电路对电子设备有很好的保护作用，由于消费电子客户存在多次开关机的应用场景和输入接反的可能性。但是由于成本与电路设计的复杂性，很多设计中只提供了一种保护电路。本文基于提供全面保护与降低成本、降低设计复杂性的角度，提出一种电路，整合了软启动与防反
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保护电路 软启动 继电器 MOSFET 反接电路 二极管 201503
- 摘要：本文针对传统驱动电源电能损耗大、效率和智能化程度低的缺点，设计了一款适用于大功率LED路灯的高性能可智能控制型驱动电源。本文选择了多级驱动方案，即功率因数校正(PFC)电路、LLC谐振控制电路和多路恒流输出的三级式结构。本文采用合理的设计，优化了功率校正因数，增大了输入电压范围，提高了整机效率，使输出电流在全负载范围内更加稳定，同时增加了PWM调光控制功能，可根据外界环境的变化智能控制LED路灯的亮度，从而达到进一步节能减排的效果。
引言
由于具有高光效、长寿命、灯具效率高、环保和易
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LED 驱动电源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
- 摘要：探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。
近期，全球知名半导体制造商ROHM在清华大学内举办了以“SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。此次交流学习会上，ROHM在对比各种功率器件的基础上，对SiC元器件的市场采用情况和发展趋势做了分析，并对ROHM的SiC产品阵容、开发以及市场情况做了详尽的介绍。
各种功率器件的比较
功率元器件主要用于转换电源，包括四大类：逆变器、转换器(整流器)、直流斩波器DC/DC转换器、矩阵
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
- 意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON
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意法半导体 SCT20N120 MOSFET
- 要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题，PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计的心得。
一、不要使用双极型功率器件
DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度
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LED MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器，以及对其尺寸丶重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的导通电阻來减低功耗。此外，其双N通
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Diodes MOSFET
- 我曾经遇到过节假日有客人上门，必须跑到商店，在关门前挑选几件物品的情况。我当时就意识到“跑”这个单词会有多少种意思呢。我听说单单作为动词，他就有645个意思，并且还在不断增加!表面上看起来很简单的事情实际上会很复杂。想一想，功率MOSFET只有三个引脚(栅极、源极、漏极)。长假过后，当回到办公室开始设计全新的电源管理热插拔应用时，我想到看起来简单的功率MOSFET会有多么复杂，还有就是在为热插拔应用和功率转换分别选择一款MOSFET时会有什么不同。
热插拔电路使用一个功率
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MOSFET 热插拔控制器
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