功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。
图1： 四种基本的功率开关电路
有多种不同的拓扑用于功率转换器、
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功率开关 MOSFET
简介：不断的思考，不断的理解，不断的总结!希望大家坚持下去!
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】
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CMOS MOSFET
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
关键词：MOSFET 损耗分析 EMI 金升阳R3
一、引言
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗
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MOSFET EMI
关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure)，实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得
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意法半导体 MOSFET
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间，方便
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Cree SiC
日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面，连续通电时
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SiC SiC
根据Yole Development预测，功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板，以期能在更小的空间中实现更高功率。
在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中，Yole Development指出，促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
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SiC GaN
DIY工具，比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此，其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。
经过实验证明StrongIRFET系列器件能够最大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电
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英飞凌 MOSFET
e络盟日前宣布新增多款来自全球半导体和分立器件领先供应商威世2015 Super 12系列的创新型无源元件和半导体产品，其中包括电容、电阻及MOSFET，适用于医疗、消费电子、可替代能源、工业、电信、计算及汽车电子等各种应用领域。
e络盟大中华区区域销售总监朱伟弟表示：“e络盟拥有来自全球领先供应商的丰富产品系列，可充分满足广大用户对最新技术的需求，帮助他们进行产品开发与制造。此次新增的几款威世Super 12系列创新型产品均为全球最佳产品。用户可通过e络盟升级版网站，更加快捷地查看
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e络盟 MOSFET
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品，采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。
Castle Creations, Inc首席执行官Patrick Castillo说：“在我们为每一位
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Fairchild MOSFET
矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。
全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处：矢野经济研究所) (点击放大)
2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。虽然2012年为负增长，但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。
预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究
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SiC 功率半导体
ROHM Co., Ltd.(总部：日本 京都，社长 泽村谕，下称"ROHM")发布了2015年度第一季度(4~6月)的业绩。
第一季度销售额为949亿2千万日元(去年同比增长7.4%)，营业利润为115亿6千7百万日元(去年同比增长24.7%)。
纵观电子行业，在IT相关市场方面，虽然智能手机和可穿戴设备等市场的行情仍然在持续走高，然而一直以来都保持持续增长的平板电脑的普及率的上升势头大幅下降，个人电脑市场呈现低迷态势。在AV相关市场方面，虽然4K电视(※1)等高附加
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ROHM SiC
SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。
罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。
罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
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SiC GaN 电流传感器
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