全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，
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世强 SiC
提出了一种小型可调压DC-DC降压变换器的结构。主电路由MOSFET管、电感器及滤波电容器构成。通过PWM波控制，由于PWM波的驱动能力较差，设计驱动电路通过与PWM发生器一同控制MOSFET管的通断。通过改变PWM波的占空比来改变输出电压以达到可调压的目的。该降压变换器设计简单、经济适用、体积较小，输出电压可调。主要由主电路和驱动电路组成。该变换器适用于较低压工作场合，输入电压在5V至20V之间，输出电压在3V至18V之间。对电路的工作原理和结构进行了深入分析，并通过实物制作验证其可行性。
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DC-DC降压 PWM MOSFET 驱动电路 201601
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。 400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全
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意法半导体 MOSFET
在温度高达 210 摄氏度或需要耐辐射解决方案的恶劣环境应用中，集成型降压解决方案可充分满足系统需求。有许多应用需要负输出电压或诸如 +12V 或 +15V 等隔离输出电压为 MOSFET 栅极驱动器电路供电或者为运算放大器实现偏置。我们将在本文中探讨如何使用 TPS50x01 配置降压转换器，提供负输出电压。此外，我们还将讨论如何通过提供高于输入压的电压来满足应用需求。 TPS50601-SP和TPS50301-HT都是专为耐辐射、地质、重工业以及油气应用等恶劣环境开发的集成型同步降压转换器解决方
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MOSFET TPS50601-SP 电压隔离
DIGITIMES Research观察，传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目，氮化镓具有更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。
更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言
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GaN SiC
2016年11月16日-21日，全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案，受到来场参观者的广泛好评。 ROHM模拟电源“领衔”业内标准 近年来，全世
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ROHM SiC
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出符合国际零待机功耗标准的新电源管理芯片，率先为白色家电(white good)、照明及工业设备提供唤醒功能智能管理方式。这也代表着电能吸血鬼(装置在被关掉或处于闲置状态时仍在消耗电能)将不复存在。
最大限度降低用电设备的待机耗电量(也称：电能吸血鬼)是设计人员长期努力的目标，这也推动了全世界启用IEA[1]等国际组织提出的节能建议，即在2010年和2013年前将电器待机功耗分别降至1W和0
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意法半导体 MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。
新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自
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意法半导体 MOSFET
2015年3月份，一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈，没错，这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换电站数量要达到1.2万个，充电桩达到450万个，这意味着一个千亿级市场将在国内的充电行业产生。
充电桩通常被誉为新能源汽车的“加油站”，可以固定在墙壁或地面，根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。如图1所示，目前的充电桩可以提
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Cree SiC
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品提供了更高的开关速率和更低的开关损耗，从而为电力电子工程师们提供了设计出更小，更快，更酷，更高效的电源解决方案可能。
新的900V SiC MOSFET系列产品极大的扩大了产品应用空间，能够更好的应对不断发展变化的应用领域，更高的直流母线电压可以覆盖
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Wolfspeed MOSFET
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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SiC MOSFET
当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带(WBG)半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元
由碳化硅电力设备市场驱动，n型碳化硅基
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GaN SiC
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关，能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。
在局域网路由器及中跨设备等供电设备内，100V N通道MOSFET把电源接到五类或六类网线。然后网线就会借由消除供终端设备内的电源降低成本，并提供电力和数据。该器件还保障了终端用户，因为以太网
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Diodes MOSFET
集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗，非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。
图：CAS300M17BM2模块外观图
世强代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模块采用行业标准
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CREE SiC
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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