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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

快速充电用AC/DC电源设计

  • 提出了一种新型快速充电策略，并设计和制作了可满足12 V/40 Ah锂电池组快速充电需求的高功率密度AC/DC电源，介绍了AC/DC电源拓扑结构、关键元件选型及参数计算。快速充电器输入PF大于0.98，额定工作点效率大于90%。可实现12.8 V/40 Ah锂电池组3小时内100%SoC快速充电。
  • 关键字： 快速充电  锂电池组  PFC  LLC  SiC  201808  

汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分，其能够帮助实现各种各样的功能，包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处
  • 关键字： MOSFET  DC/DC转换  SQJQ480E  

宽禁带技术-下一代功率器件

  • 　　行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。　　同时，我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目
  • 关键字： SiC  GaN  

罗姆首次亮相“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”

  • 　　全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念，带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领先半导体产品。　　罗姆展台人头攒动　　在 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区以及“xEV”、“环保/节能”、“安全/舒适”三大展区内，重点展示了以下产品和技术：　　・ 先进的SiC(碳化硅)技术：助力 “Formula
  • 关键字： 罗姆  SiC  

德州仪器CTO：TI颠覆性技术将引领我们快速前进

  • 　　当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。　　畅想一下，新技术将影响着我们未来的工作和生活：　　· 汽车组装生产线上将重新配置协作机器人，由它们来组装不同型号的车辆。这将在降低成本的同时大大提高生产力，发挥竞争优势。今天，重置一个这样的工厂可能需要几年的时间。　　· 机器视觉技术将使人们即使在夜间、雾天和灰尘的环境下，驾驶时也可清晰视物。　　· 充电器尺寸将缩小到信
  • 关键字： 德州仪器  SiC  

应用角：云电源

  • 　　云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中，云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源，以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元(PSU)，以及众多的DC-DC转换器来提供负载点电源。　　由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数(2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%)，因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终
  • 关键字： 云电源  SiC  

IGBT扫盲文，IGBT基础与运用知识学习

  • 　　IGBT基础与运用　　IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。　　理想等效电路与实际等效电路如图所示：　　IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性(开关特性)。　　动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
  • 关键字： IGBT，MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

  • 　　随着电子产品功能愈来愈多元，对于低功耗的要求也愈来愈高， MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件，而在目前市面上产能不足，客户庞大需求下，电子产品验证服务龙头-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圆后端处理集成服务」，目前已有20多家海内外厂商，包括全球知名晶圆厂、IDM厂商、IC设计企业已于今年第一季底，前来宜特进行工程试样，并于第二季初开始进行小量产，并在下半年正式量产。　　宜特董事长 余维斌指出，在车用可靠度验证分析本业上，已做到亚洲龙头，然而在服务客户的同时，发现了此
  • 关键字： MOSFET  晶圆  

低功耗SiC二极管实现最高功率密度

  • 　　相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。　　安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
  • 关键字： 肖特基二极，SiC  

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

  • 　　意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压，并提高诸多消费和工业电源的灵活性。　　逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作，可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能，这种优势可简化设计，节省空间和物料清单成本。　　VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
  • 关键字： 意法半导体，MOSFET  

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

  • 　　前言　　包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统，需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。　　小型辅助电源用SiC MOSFET　　图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下，MOSFET的最高耐压
  • 关键字： SiC，MOSFET  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  • 　　6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”　　SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字： SiC  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  • 　　6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。　　中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”　　SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字： SiC  

安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

  • 　　推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。　　SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本使SiC
  • 关键字： 安森美  SiC  

计算MOSFET非线性电容

  • 　　最初为高压器件开发的超级结MOSFET，电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容，但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。　　MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量，其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，输入电容CG
  • 关键字： MOSFET  非线性电容  
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