- 全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)即将举办2018第五届“ROHM技术研讨会”，届时将于2018年9月至2019年1月巡回苏州、厦门、北京、惠州、合肥等全国5大城市，面向青年工程师分享先进的电源设计和应用技术。日前，首站——苏州站(9月6日)的免费报名通道已开启! 一年一度的“ROHM技术研讨会”由罗姆主办，自2014年起至今已成功举办了四届，活动足迹遍及全国各地，是罗姆与业界友人交流互动、分享经验的良好平台。今年，根据各个城市不同的行业发展情况，罗姆将围绕“电源”和“SiC(碳化硅)”主题带来精
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罗姆 SiC
- MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
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开关电源 BJT MOSFET
- 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 数据 电感器 连续电流
- 本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解，希望对您的学习有所帮助。对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不
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MOSFET 电源
- 在电子电路设计中，散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下，空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
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大功率电 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用，此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式，在今天的文章中
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MOSFET 驱动电路 电源
- 功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升，在一些中小功率的开关电源产品中，利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力，还具有
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MOSFET 驱动电路 设计
- 功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用，而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说，怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环，需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助
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MOSFET IGBT 隔离驱动
- 摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间
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MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
- 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies，S
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MOSFET 笔记本电源 降压变换器
- 在传统应用领域，功率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变，实现家电工业转型升级，优化产业结构。而随着物联网、云计算、新能源、节能环保等新兴产业的高速发展，新兴领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
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功率半导体 MOSFET
- 市场研究单位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率(CAGR)为28%，2020~2022年CAGR将进一步提升至40%。 包括xEV、xEV充电基
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SiC PFC
- 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
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