- 市场研究单位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率(CAGR)为28%，2020~2022年CAGR将进一步提升至40%。 包括xEV、xEV充电基
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SiC PFC
- 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET涨价已经很长一段时间，从今年年初至今，其涨价幅度已经达到了5%-10%，相对另外一种被动元器件MLCC，MOSFET涨价幅度还算在可接受范围之内。简而言之，今年以来MOSFET一直处于供货吃紧状态，包括英飞凌、威世、意法半导体、安森美等国际IDM大厂近些年并没有新增产能。 由于去年下半年以来，汽车电子、物联网、云端计算等新应用加大对MOSFET的需求，导致电脑以及智能手机等3C电子产品用MOSFET供货严重不足，价格已经从今年年初上涨至今持续了3个季度!据市场表示，今年上半年MOSFET
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中兴 ODM OEM MOSFET
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，宣布获联合汽车电子系统有限公司(United Automotive Electronic Systems，简称UAES)颁发“2017年度杰出合作供应商奖”。安森美半导体是UAES最近的供应商大会上3家获奖的半导体供应商之一。 该奖认同安森美半导体宽广的产品阵容的价值，这些产品用于UAES领先行业的先进汽车系统方案。安森美半导体能提供大量关键器件用于从动力总成到汽车功能电子化、从传统模块如发动机控制单元(ECU)和点火系统到最新的牵引
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安森美 SiC
- 提出了一种新型快速充电策略，并设计和制作了可满足12 V/40 Ah锂电池组快速充电需求的高功率密度AC/DC电源，介绍了AC/DC电源拓扑结构、关键元件选型及参数计算。快速充电器输入PF大于0.98，额定工作点效率大于90%。可实现12.8 V/40 Ah锂电池组3小时内100%SoC快速充电。
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快速充电 锂电池组 PFC LLC SiC 201808
- 功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分，其能够帮助实现各种各样的功能，包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处
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MOSFET DC/DC转换 SQJQ480E
- 行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。 同时，我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目
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SiC GaN
- 全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念，带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领先半导体产品。 罗姆展台人头攒动 在 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区以及“xEV”、“环保/节能”、“安全/舒适”三大展区内，重点展示了以下产品和技术： ・ 先进的SiC(碳化硅)技术：助力 “Formula
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罗姆 SiC
- 当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。 畅想一下，新技术将影响着我们未来的工作和生活： · 汽车组装生产线上将重新配置协作机器人，由它们来组装不同型号的车辆。这将在降低成本的同时大大提高生产力，发挥竞争优势。今天，重置一个这样的工厂可能需要几年的时间。 · 机器视觉技术将使人们即使在夜间、雾天和灰尘的环境下，驾驶时也可清晰视物。 · 充电器尺寸将缩小到信
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德州仪器 SiC
- 云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中，云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源，以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元(PSU)，以及众多的DC-DC转换器来提供负载点电源。 由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数(2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%)，因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终
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云电源 SiC
- IGBT基础与运用 IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性(开关特性)。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
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IGBT，MOSFET
- 随着电子产品功能愈来愈多元，对于低功耗的要求也愈来愈高， MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件，而在目前市面上产能不足，客户庞大需求下，电子产品验证服务龙头-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圆后端处理集成服务」，目前已有20多家海内外厂商，包括全球知名晶圆厂、IDM厂商、IC设计企业已于今年第一季底，前来宜特进行工程试样，并于第二季初开始进行小量产，并在下半年正式量产。 宜特董事长 余维斌指出，在车用可靠度验证分析本业上，已做到亚洲龙头，然而在服务客户的同时，发现了此
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MOSFET 晶圆
- 相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。 安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
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肖特基二极，SiC
- 意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压，并提高诸多消费和工业电源的灵活性。 逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作，可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能，这种优势可简化设计，节省空间和物料清单成本。 VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
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意法半导体，MOSFET
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