推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。 安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容
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安森美 SiC
当前具有更高整体效率的电子系统需要更高的功率密度，这为非隔离负载点稳压器(niPOL) 带来了大量变革。为了提高整体系统效率，设计人员选择避免多级转换，以获得他们所需要的稳压负载点电压。这就意味着niPOL需要支持更高的工作输入电压，提供更高的转换率。除此之外，niPOL还需要在保持最高效率的同时，继续缩小电源解决方案的总体尺寸。而且随着产品性能的提升，niPOL的功率需求会进一步提高。 电源行业通过对niPOL进行多项技术升级来应对这一挑战。过去几年，行业已经看到器件封装、半导体集成和M
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ZVS MOSFET
MOSFET缺货潮来势汹汹，看着突然实则必然，毕竟消费电子的更新迭代速度加快以及新能源汽车飞速发展已成必然之势。
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MOSFET 芯片
随着工艺水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管)阈值电压的失配常数Avt越来越小，电流源之间的匹配程度越来越高，然而随着DAC(Digital to Analog Converter，即数模转换器)分辨率的提高， DAC对电流源误差的要求越来越高[1]。其中阈值电压失配不仅与Avt有关，由于阈值电压的温度系数存在，DAC工作
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DAC MOSFET
纳微 (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。纳微是这项活动的银级赞助商，该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛，以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的专业知识。 黄万年
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纳微 SiC
近年来，出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑，对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划，未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中，中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展，越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门，投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。 作为全球知名半导体制造商， ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域，通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
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ROHM SiC
电动工具、 园艺工具和吸尘器等家电使用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电机驱动。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。 驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。高效率可提供最长的电池寿命并减少冷却工作。可靠的操作和保护可延长使用寿命，有助于提高产品声誉。 为在两个方向上驱动BDC电机，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽车中，为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统，从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅 100 多年以前的景象，那时，在汽油动力汽车中，一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄，前灯开始用乙炔气照明，也可以用铃声向行人发出提示信息了。如今的汽车正处于彻底变成电子系统的交界点，最大限度减少了机械系统的采用，正在成为人们生活中最大、最昂贵的“数字化工具”。由于可用性和环保原因
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电源 MOSFET
随着技术的不断更新换代，以及电动汽车市场的巨大助力，SiC产品有望迎来快速增长期。
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电动汽车 SiC
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOSCFD7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。 &n
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英飞凌 MOSFET
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET 晶圆
功率因数校正最佳策略：如何选取合适的MOSFET？-近年来，随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展，功率MOSFET备受关注。
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MOSFET 功率因数 Vishay
面对国际IDM大厂将旗下MOSFET芯片产能大量移转到车用电子领域，并开始采取限量供应MOSFET芯片给PC、NB及移动装置产品客户的情形，大中、富鼎、尼克森等台系MOSFET芯片三雄不仅2017年第3季终于有像样的营收成长力道，客户追加订单的盛况更是前所未见。虽然第4季全球PC及NB市场需求照理说会开始下滑，但在英特尔(Intel)、AMD新款CPU平台需增加3~5颗MOSFET芯片，加上客户对于MOSFET芯片供需吃紧的议题抱持高度关注态度，台系MOSFET芯片供应商多已表达淡季不淡的乐观预期看法
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MOSFET 芯片
以MLCC为代表的被动元件在进入第三季度后，受产能供需吃紧影响，价格大涨，部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场行情相似的MOSFET芯片也出现缺货潮，导致价格上涨，即便是在溢价20%的基础上新增订单，供应商仍难交出货来。更严重的是，MOSFET芯片市场缺货潮短期内将难以缓解，保守估计到2019年局面才能改观。
据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士
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MOSFET MLCC
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