功率因数校正 (PFC) 是输入功率不低于75 W的AC-DC转换器的一项强制要求。在某些消费应用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下进行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用为控制线路频率而设计的无源元件实现校正目 的。但在高功率下，无源解决方案会变得相当“笨重”而昂 贵；使用高开关频率有源器件可减小所需无源元件的尺寸。 有源PFC的标准实现方式是输入整流器后跟升压转换 器。尽管新式拓扑正逐渐获得接受，但升压PFC仍然是主要解决方案，本文将对其进行进一步
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功率 电路 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET，以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，产品出货即日启动。 随着快速充电器的普及和发展，市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结
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东芝 MOSFET
摘要–当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。 I.前言 在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的唯一要求，实际上，本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,d
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MOSFET MOSFET
2017电源市场需求和技术趋势风向如何?来e星球，与超六万的专业人士一起把握潮流! 需求往往是推动创新的源泉，无论是时尚、金融亦或是我们熟悉的电源领域都存在这样的现象。抓住了用户需求，潜在的创新动力才会被激发，也只有适应需求的创新才是最具生命周期的。2017年电源需求在哪?创新着力点在哪?带着疑问与期盼请来亚洲第一大电子展——2017年慕尼黑上海电子展一探究竟吧!3月14日-16日将有超过6万多名的专业观众以及众多的国内外领先电源厂商集聚上海新国际博览中心，深度探讨2017年中国电源市场需求与走势，
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SiC GaN
2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半导体制造商ROHM将亮相在"上海新国际展览中心"举办的"2017慕尼黑上海电子展"。届时ROHM将在E4馆设有展位(展位号：4100)，向与会观众展示ROHM最新的产品与技术。来到现场还将有ROHM的专业技术人员向您做最详尽的介绍，期待您的到来。 ROHM展位信息 "慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会。而作为拥有近60年历史的综合性半导体制造商，&
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ROHM SiC
日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半
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GaN MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)扩大其SLLIMM™ nano系列电机驱动智能功率模块(IPM)产品阵容。除了使得应用总体尺寸最小化和设计复杂性最低化的多种可选封装外，新产品还集成更多的实用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。 新IPM模块的额定输出电流1A或2A，目标应用瞄准最高功率100W的电机驱动市场，例如冰箱压缩机、洗衣机或洗碗机的电机、排水泵、循环水泵、风扇电机、以及硬开关电路内工作频率小
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意法半导体 MOSFET
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此噪声测量主要指电子元件和器件、网络和系统的热噪声和特性的测量。 附加相位噪声测试技术及注意事项 本文简单介绍了相位噪声的定义，详细介绍了附加相位噪声的测试过程，给出了实际的测试结果，指出了附加相位噪声测试过程中的一些注意事项，希望对附加相位噪声测试人员有一定的借鉴意义。 用于4G-LTE频段噪声测试
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MOSFET 噪声
日本 DISCO 公司的科学家们使用一种称为关键无定形黑色重复吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的专利和正在申请专利的激光材料加工技术，可以将碳化硅(SiC)晶圆的生产率提升到原来的四倍，并且在提高产量的同时减少材料损耗。该技术适用于单晶和多晶锭，不管晶体层的取向如何。目前，SiC 功率器件在市场中的渗透较慢，主要是因为其产量小、且生产成本高。然而，KABRA 方法能够显著提高 SiC 器件的产量，并且应该能够使 SiC 器件作为功率
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SiC
摘要 – 近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。PWM移相控制全桥转换器就是其中一个深受欢迎的软硬结合的开关电源拓扑，能够在大功率条件下达取得高能效。本文旨在于探讨MOSFET开关管在零压开关(ZVS)转换器内的工作特性。 1. 前言 零压开关移相转换器的市场定位包括电信设备电源、大型计算机或服务器以及其它的要求功率密度和能效兼备的电子设备。要想实现这个目标，就必须最大限度降低功率损耗和无功功率
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MOSFET ZVS
如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。
然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色
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功率半导体 SiC
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
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