- 电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么是安全工作区? 安全工作区：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
- 近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
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半导体 SiC
- 精华！兼容路创和Leviton调光器的LED灯丝灯解决方案-晶丰明源BP3216灯丝灯可控硅调光方案解决三大LED灯丝灯调光难题，BP3216内部集成MOSFET，体积小，特别适合灯丝灯的应用；采用源极驱动，DCMB的控制方式，没有二极管反向恢复，开关损耗小。P3216系列芯片内部集成不同耐压的MOSFET，可以满足不同功率输出的要求。
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MOSFET 可控硅调光 LED灯丝灯
- 导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减-更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载时的功率损耗。
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MOSFET 栅极屏蔽 快捷半导体
- 为反向极性保护设计一个电路-反向极性解决方案被看成是一个迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽车系统中，搭线启动期间，防止电池反接或者电缆反向连接很重要，然而系统设计人员也必须忍受反向极性保护出现时的功率损耗。
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汽车电池 反向极性保护 二极管 MOSFET
- 有刷直流栅极驱动器的演变-回望在电子产品领域奋战的20年，我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快，发光二极管（LED）亮度更高，存储器密度更大，每样东西的功耗都更低，并且集成电路（IC）集成了比以往任何时候都多的组件。
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MOSFET 栅极驱动器 集成电路
- 模块电源的散热应对措施- 本篇文章以实例为基准，分析一个设计方案中的模块电源散热问题。本文的中的模块采用100W，Vin24VVout5V，采用单管正激电路，使用的是UC3843B芯片控制，没有采用有源嵌位和同步整流，工作频率为300KHZ。
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MOSFET 二极管 模块电源
- 基于MPS芯片的系统电源解决方案-隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰，开关芯片转换出各种系统所需电压，LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补，各取所长才能共建一个良好的系统供电环境，同时开启它们的共赢之路。
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MPS模块 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的
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Littelfuse MOSFET
- 采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路-自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下：
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mosfet 驱动电路
- 功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图-本文介绍功率mosfet工作原理、几种常见的mosfet驱动电路设计，功率mosfet驱动电路原理图。
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驱动电路 mosfet 电路图
- 利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络-假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流沉/源的大小任意，可能须要针对不同阶段的一些复杂模拟电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次实施即可，电流沉整个反馈部分的重复进行却使成本与设计空间密集化。
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模拟电路 MOSFET
- MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在-即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 （图 1）。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
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