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sic mosfet 文章 进入sic mosfet技术社区

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  • 　　随着汽车中电子系统数量的成倍增加，车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此，新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准，该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质，开关电源充斥着 EMI，并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今，低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起，成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求，同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字： Littelfuse  MOSFET  

CISSOID和泰科天润（GPT）达成战略合作协议， 携手推动碳化硅功率器件的广泛应用

  • 　　高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。　　CISSOID和泰科天润签署战略合作协议　　泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，既是碳化硅芯片的龙头企业，也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温
  • 关键字： CISSOID  SiC  

基本半导体推出高性能碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）

  • 　　碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。　　SiC JBS产品优势　　作为单极型器件，SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存，其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容，反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
  • 关键字： 基本半导体  SiC  

宜特FSM化学镀服务本月上线，无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  • 　　随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求，为填补供应链中此一环节的不足，在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」，其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺，在本月已有数家客户稳定投片进行量产，在线生产良率连续两月高于99.5%。　　同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺，在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上，除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字： 宜特  MOSFET  

罗姆参展“2018第二十届中国国际工业博览会”

  • 　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在国家会展中心(上海)举行的第二十届中国国际工业博览会上首次亮相。在为期5天的展会上，罗姆展出了节能高效的SiC功率元器件以及“机器健康检测”为主的工业设备解决方案，吸引了众多业内外人士驻足交流。　　罗姆展台掠影(展位号：6.1H　A245)　　近年来，罗姆向工业市场不断进取，凝聚在消费电子设备和汽车相关领域培育的技术，致力于节能、安全、舒适、小型化的革新性产品的开发，并通过高品质、稳定供应的安心生产体制，持续不断为工业设备发展做贡献。
  • 关键字： 罗姆  SiC  功率元器件  

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

  • 1 引言
    MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，
  • 关键字： MOSFET  并联  电流  分配  

SiC功率半导体器件需求年增29%，X-FAB计划倍增6英寸SiC代工产能

  • 　　随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在不断增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术，现已变得更具性价比。此外，随着市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。　　功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管可以实现短得多的反向恢复时间，从而实现更快的开关。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。就其本身
  • 关键字： X-FAB  SiC  

安森美半导体推动电动汽车充电桩市场创新发展

  • 　　电动汽车(也叫新能源汽车)是指以车载电源为动力，用电机驱动车轮行驶，符合道路交通、安全法规各项要求的车辆由于对环境影响相对传统汽车较小，它的前景被广泛看好近年来在国家环保政策的激励下，在大家对绿色低碳健康生活的憧憬下，电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场，中国新能源汽车业近年来快速发展令世界瞩目。据Goldman Sachs报道，2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划，电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个，与现
  • 关键字： 安森美  IGBT  SiC  

如何更加快速地为电动汽车充电

  • 推出电动汽车（EV）的通告已经铺天盖地地席卷了全球。这些标题的吸睛点和不同点在于电动汽车远程驾驶能力超越了目前的200至300英里范围：目前，在所有驾驶情况和条件下，电动车辆皆可与基于内燃机的车辆媲美。
  • 关键字： 电动汽车  SiC  传输电力  

应用角：汽车 - 电动汽车电池断开系统

  • 　　在电动和混合动力汽车中，需要一种方法将高压电池与车辆的其他部分断开连接。专门设计的大电流继电器(接触器)历来一直是执行此功能的首选方案。此继电器的设计必须支持在负载下断开连接，而不受损坏。这是通过使用带有真空封装触点的继电器来实现的。这些接触器通常充满惰性气体，包围触点以消除空气。通常，在高压电池系统中，需要三个接触器：一个用于两个主要电池导体，另一个更小的版本用于预充电功能。传统的电池断开电路图如图1所示。　　电动汽车制造商长期以来一直希望有一种更小、更轻、更便宜的方案，以解决电池断开问题。功率半导
  • 关键字： MOSFET，混合动力  

罗姆即将举办2018第五届“ ROHM技术研讨会”

  • 　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)即将举办2018第五届“ROHM技术研讨会”，届时将于2018年9月至2019年1月巡回苏州、厦门、北京、惠州、合肥等全国5大城市，面向青年工程师分享先进的电源设计和应用技术。日前，首站——苏州站(9月6日)的免费报名通道已开启!　　一年一度的“ROHM技术研讨会”由罗姆主办，自2014年起至今已成功举办了四届，活动足迹遍及全国各地，是罗姆与业界友人交流互动、分享经验的良好平台。今年，根据各个城市不同的行业发展情况，罗姆将围绕“电源”和“SiC(碳化硅)”主题带来精
  • 关键字： 罗姆  SiC  

开关电源设计：何时使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 关键字： 开关电源  BJT  MOSFET  
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