深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC)
MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
关键字：
Power Integrations SiC-MOSFET
介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
关键字：
SiC 市场 应用 汽车 201903
专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics
(ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh
M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能
微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
关键字：
贸泽 STMicroelectronics MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs
LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
关键字：
Vishay MOSFET
意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
关键字：
ST Norstel SiC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V
MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 Vishay
关键字：
Vishay MOSFET
Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。
这些机电系统
关键字：
意法半导体 MOSFET
2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive
World日本国际汽车展上，展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40，以“Think Automotive, Think
Vishay”为主题展示各种车规产品，包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。 Vishay亚
关键字：
Vishay 转换器 MOSFET
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
关键字：
半导体 SiC GaN
11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
关键字：
北汽新能源 罗姆半导体 SiC
意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16
nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。 此外，意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω，有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
关键字：
意法半导体 MOSFET
罗姆（ROHM）作为一个日本企业，很早便打入欧洲市场，丰富的行业经验、值得信赖的产品品质和口碑让欧洲本土企业成为罗姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我们也见到了很多罗姆（ROHM）的得意之作。
关键字：
ROHM SiC 罗姆
摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL
JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封
关键字：
SiC WInSiC4AP
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM调查数据) 近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受
关键字：
ROHM SiC
全球知名半导体制造商罗姆将于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店举办为期一天的“2018 ROHM科技展”。届时，将以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，展示罗姆在汽车电子和工业设备等领域的丰富产品与解决方案，以及模拟技术和功率元器件等技术亮点。同时，将围绕汽车电子、SiC(碳化硅)功率元器件、电机驱动、DC/DC转换器技术、传感器技术以及旗下蓝碧石半导体的先进技术等主题，由罗姆的工程师带来六场技术专题讲座。期待您莅临“2018 ROHM科技展”现场，与罗姆的技术专家进行面对面的交流和切磋
关键字：
ROHM SiC
sic mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic mosfet的理解，并与今后在此搜索sic mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473