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MOSFET 数据 电感器 连续电流
- 本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解,希望对您的学习有所帮助。对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不
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MOSFET 电源
- 在电子电路设计中,散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下,空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
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大功率电 MOSFET 功率耗散
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MOSFET 驱动电路 电源
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MOSFET 驱动电路 设计
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助
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MOSFET IGBT 隔离驱动
- 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间
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MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
- 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,S
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MOSFET 笔记本电源 降压变换器
- 在传统应用领域,功率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变,实现家电工业转型升级,优化产业结构。而随着物联网、云计算、新能源、节能环保等新兴产业的高速发展,新兴领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
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- 市场研究单位Yole Développement(Yole)指出,碳化硅(SiC)电力电子产业发展具高度潜力,包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元,2016年至2023年间的复合成长率(CAGR)为28%,2020~2022年CAGR将进一步提升至40%。 包括xEV、xEV充电基
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SiC PFC
- 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET涨价已经很长一段时间,从今年年初至今,其涨价幅度已经达到了5%-10%,相对另外一种被动元器件MLCC,MOSFET涨价幅度还算在可接受范围之内。简而言之,今年以来MOSFET一直处于供货吃紧状态,包括英飞凌、威世、意法半导体、安森美等国际IDM大厂近些年并没有新增产能。 由于去年下半年以来,汽车电子、物联网、云端计算等新应用加大对MOSFET的需求,导致电脑以及智能手机等3C电子产品用MOSFET供货严重不足,价格已经从今年年初上涨至今持续了3个季度!据市场表示,今年上半年MOSFET
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中兴 ODM OEM MOSFET
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),宣布获联合汽车电子系统有限公司(United Automotive Electronic Systems,简称UAES)颁发“2017年度杰出合作供应商奖”。安森美半导体是UAES最近的供应商大会上3家获奖的半导体供应商之一。 该奖认同安森美半导体宽广的产品阵容的价值,这些产品用于UAES领先行业的先进汽车系统方案。安森美半导体能提供大量关键器件用于从动力总成到汽车功能电子化、从传统模块如发动机控制单元(ECU)和点火系统到最新的牵引
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安森美 SiC
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