- 随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器，该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合，可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器，与同类竞争产品相比，该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时，还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制，帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求，从而可实现整个负载范围内的高
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TI FET 转换器 TPS51315
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
- 2009年1月22日，中国北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
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ADI 运算放大器 FET ADA4817
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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FET TI IC－bq2407x
- 日产汽车开发出了采用SiC二极管的汽车逆变器。日产已经把该逆变器配备在该公司的燃料电池车“X-TRAIL FCV”上，并开始行驶实验。通过把二极管材料由原来的Si变更为SiC，今后有望实现逆变器的小型轻量化、提高可靠性。对于电动汽车而言，逆变器的大小一直是布局的制约因素之一。
SiC元件作为具有优异特性的新一代功率半导体备受瞩目。SiC的绝缘破坏电场比Si大1位数左右，理论上SiC导通电阻可比Si减小2位数以上。原因是导通电阻与绝缘破坏电场3次方成反比。导通电阻小，因此可
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二极管 SiC 汽车 逆变器 日产
- TPS54377 是一款输入电压为 3V ～6V 的 DC/DC 转换器，具有可将电压步降至 0.9V 的集成的 FET。其转换频率为同步频率并可调至 1.6MHz，以减少外部组件数量且有助于确定频谱噪声频带。该器件在整个温度范围内均可提供高达 3A 的输出电流并可支持 4A 的峰值输出电流。其具有电源状态良好指示、启动、可调慢启动、电流限制、热关断以及 1% 的参考精度等特性。TPS54377 可用于宽带、联网和通信基础设施、分布式电源系统以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 稳压。
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TI 转换器 DC/DC FET
- 人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积缩小到病人可接受的程度还是一个不小的挑战。本文介绍采用IMEC的SiC技术，它的开发重点是进一步缩小集成后的EEG系统体积以及将低功耗处理技术、无线通信技术和能量提取技术整合起来，在已有系统上增加一个带太阳能电池和能量存储电路的额外堆叠层，这样就能构成一套完全独立的生物电信号采集方案。
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- 当输入至输出的开销电压(overhead voltage)和/或充电电流较高时，线性电池充电器的功耗相当大。以一般的便携式DVD播放器(双节锂离子电池组、12V车载适配器、1.2A额定充电电流)为例，其线性充电器的平均功耗超过5W。 bq241xx系列开关充电器是对过热问题的简便解决方案。内置功率FET能够提供高达2A的充电电流。同步PWM控制器的工作频率为1.1MHz，输入电压最高可达18V，非常适用于由单节、双或三节电池组供电的系统。该系列开关充电器具有的高电压、高电流、高效率等优异特性，并且
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FET 锂离子开关充电器 电源
- 丰田汽车在“ICSCRM 2007”展会第一天的主题演讲中，谈到了对应用于车载的SiC功率半导体的期待。为了在“本世纪10年代”将其嵌入到混合动力车等所采用的马达控制用逆变器中，“希望业界广泛提供合作”。如果能嵌入SiC半导体，将有助于逆变器大幅实现小型化及低成本化。
在汽车领域的应用是许多SiC半导体厂商瞄准的目标，但多数看法认为，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在产业设备以及民用设备上配备，在汽车上配备的障碍更大。该公司虽然没有透露计划采用SiC半导体的日期，但表示“到本世纪10年代前
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汽车电子 丰田 SiC 半导体 汽车电子
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 开关稳压器系列，支持广泛的工作输入电压，并且可以处理高达 100V 的瞬态尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的输入电压以及 1.21V 至 55V 的可编程输出电压；而 ISL8540 支持 9
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模拟技术 电源技术 Intersil FET 稳压器 电源
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面优化的集成式FET加驱动器功率级解决方案FDMF6700，采用超紧凑型6mm x 6mm MLP封装。对于空间极度受约束的应用，比如小外形尺寸的台式电脑、媒体中心PC、超密集服务器、刀片服务器、先进的游戏系统、图形卡、网络和电信设备，以及其它电路板空间有限的DC-DC应用，FDMF6700为设计人员提供别具吸引力的解决方案。
在个人电脑主板中，典型的降压转换器在每个相位可能包含：采用DPAK封装的三个N沟道MOSFE
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嵌入式系统 单片机 飞兆 DrMOS FET 模块
- 京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，面向混合动力车的马达控制用半导体等环境恶劣但需要高可靠度的用途，“各厂商供应工程样品，并获得了好评”。 此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。
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