- 美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路，该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
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SiC 集成电路
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
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东芝 IEGT SiC
- 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件，据市场研究机构Yole Développement预计，从201
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美高森美 MOSFET SiC
- 日前，CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议，后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。 诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起，形成独一无二的竞争力。例如：SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。 CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示，为保
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CISSOID 诺卫卡 SiC
- 摘要：用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类，后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看，末级电流200mA是理想值。
前后级间耦合电容对听音影响较大，要求质量高些。
对于音频功率放大器而言，最好听的莫过于甲类放大器。根据频率分析的结果，由集成运算放大器构成的前级声音单薄、缺乏活力。所以，可不可以前级采用单管甲类放大器，后级采用甲乙类功率放大器?这样既兼顾听音需要，又兼顾效率的需要。目前，电子管音频功率放大器仍然占据
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FET 场效应管 功率放大器
- 随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
- 2014年慕尼黑上海电子展产品亮点 TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸)，使用的容值范围为1 微法 至100 微法，额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏，容值为5 微法。 CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比：由于该款新电容
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TDK 电容器 CeraLink SiC
- 新型灵活应用的高密度电源模块现在能够以易于使用的集成封装提供先进的电热性能。系统性能的提升促进了对更高功率电源的要求，以及由于需要快速实现收入的压力迫使设计人员缩短开发周期，从而对全功能、快速实现电源解决方案的需要呈激增之势。电源模块可以解决这些问题，并提供系统设计人员所需的灵活性和性能，帮助他们从最小的空间获得最大的功率
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新电源 FET ISL8225
- 2014年3月17日Silego于美国加州圣克拉拉推出一款基于Silego亚微米铜制程电源FET技术的16 mΩ双通道GreenFET3 负载开关产品即SLG59M1527V。该款负载开关每条通道最高电流可达到 4.5A 、总电流高达9.0A。并且引用Silego CuFETTM 技术来实现低导通电阻、外形尺寸最小同时可靠性提高。 SLG59M1527V是一款以14 pin脚、尺寸为1.0 x 3.0
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Silego FET SLG59M1527V
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 韩国蔚山科技大学(UNIST)的研究人员们宣称开发出一种可大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米微板的方法，从而可实现基于石墨烯的场效电晶体(FET)制造与设计。
由Jong-BeomBaek主导的研究团队们采用一种BBr3/CCl4/N2的简单溶剂热反应，大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年经由实验发现后，已经开发出各种方法来制造基于石墨烯的FET，包括掺杂石墨烯打造成石墨烯状的奈米带，以及利用氮化硼作为支柱。在各种控制石墨烯
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石墨烯 FET
- 为了限制油耗，一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时，这些创新的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时，就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。
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MOSFET 二极管 PCB 稳压器 P-FET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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反向转换器 FET 关断电压 缓冲 漏极电感
- 最近，碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
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光伏逆变器 SiC BJT
- 通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。
比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
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三菱电机 SiC
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