- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 所有关于医疗应用的产品在要求高可靠性的同时，仍然需要提供终端用户想要的新技术与功能。由于各医疗设备...
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智能MOSFET 医疗电子 FET
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟
- 采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集,人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积
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IMEC SiC 生物电信号采集
- 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。
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罗姆 半导体 SiC
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算
- 由于具有低功耗、高耐压、高耐温、高可靠性等优点，SiC功率器件被广泛应用于电动汽车/混合动力车中的逆变器、转换器、PFC电路等领域、传统工业(尤其是军工)中的功率转换领域以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域，很多半导体厂商都看好SiC技术的未来，并积极投身其中，在08年收购生产SiC晶圆的德国SiCrystal公司之后，罗姆半导体(ROHM)已经在SiC领域形成了从晶圆制造、前期工序、后期工序再到功率模块的一条龙生产体系，并率先市场SiC器件的量产，罗姆要将SiC器件应用于哪些新兴领域?如何发挥其
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罗姆 太阳能 SiC
- 音响发烧友在孜孜不倦的追求目标，就是自己的音响器材有更纯真更自然的音质表现，单端纯甲类功放，音质醇厚,偶次 ...
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单端 FET 甲类 功放
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 电路 VP FET 结合 使用 万用表
- 隔离式FET脉冲驱动器原理及设计三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率 ...
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隔离式 FET 脉冲驱动器
- 电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器电路
- 在严苛的汽车环境中，各种功率场效应晶体管(power FET，功率FET)，被一贯地认为可承受极端的温度变化和热机械应力。间歇性短路、寒冷的运行环境、高压电弧或有噪声性短路，连同电感负载及多次短路久而久之会让该器件疲损，致使其进入开路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。碳化硅是一种能有效降低损耗的新材料。全新功率器件旨在用于家电(如空调)、PC服务器和太阳能发电系统等电力电子产品。
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瑞萨电子 功率器件 SiC
- 碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。
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科锐 SiC MOSFET
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