- CISSOID，在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员.火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ° C至+225° C高温可靠运作. 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流. 所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器.
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CISSOID P-FET
- 在由Xilinx主办的会议上市调公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有关全球ASIC市场的报告。Semico对于传统的ASIC市场将只有低增长的预测,而可编程逻辑电路(PLD)在带宽与可移动联结等日益增长的需求推动下将有大的发展。
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Xilinx Semico SIC
- 图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因
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进行 缓冲 电压 关断 转换器 FET 如何
- MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
- 1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时，VGS=0，J-FET导通，传输信号至VO；当VC比V1足够负，VD导通而J-FET截止，VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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J-FET 开关电路 工作原理
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 VP FET 结合 使用 万用表
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟定时电路
- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。
独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
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英飞凌 肖特基二极管 SiC
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算电路
- 电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
- 台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
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友达 FED FET
- 随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
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