- 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。图1显示了耗尽型pHEMPT RF放大器的简化框
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pHEMT 放大器 有效偏置 偏置电路
- 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。
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pHEMT 功率放大器 有源偏置
- 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。引言图1显示了耗尽型pHEMPT RF放大器的简
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ADI pHEMT 功率放大器
- 低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF35176晶体管，设计了一种应用于5．5～6．5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32．8 dB，噪声小于1．5 dB，输入输出驻波比小于2，达到设计指标。
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低噪声放大器 ADS PHEMT 负反馈网络 匹配电路
- 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低 ...
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GaAs PHEMT MMIC LNA
- Hittite Microwave Corporation近日推出两款SMT封装GaAs pHEMT MMIC增益单元放大器，适用于频率在50-4GHz的汽车、宽带，CATV，蜂窝/3G，WiMAX/4G以及固定无线应用。
HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高线性增益单元放大器，无需外部匹配电路，从而成为竞争对手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF应用AH-1与AM-1增益单元。
HMC636ST89E高线性增益单元放大器额定为200 MHz到
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放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
- Hittite Microwave Corporation近日推出一个新款GaAs MMIC有源X2倍频器，从而使设计者可以实现频率覆盖22到46GHz的连续输出。这一器件在时钟发生器，点对点无线电、军事和航空、VSAT以及测试设备应用中，还具有优越的基波和谐波抑制。
HMC598有源X2倍频器使用GaAs PHEMT技术，以裸片形式提供。器件由输入放大器、低转换损耗倍频器和一个输出缓冲放大器组成。当用+5 dBm输入信号驱动时，倍频器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型输入功率。高输出
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Hittite 倍频器 有源 GaAs PHEMT
phemt介绍
假晶形高电子迁移率晶体管；赝高电子迁移率晶体管；假同晶高电子迁移率晶体管
PHEMTpseudomorphic high-electron-mobility transistor
一种利用在砷化镓上生长的特殊外延层制造的射频砷化镓 (GaAs)功率晶体管，可以使其在用于蜂窝电话和射频调制解调器上时实现低电压、高效率。
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