- 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。图1显示了耗尽型pHEMPT RF放大器的简化框
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pHEMT 放大器 有效偏置 偏置电路
- 分压式偏置电路经典设计-分压式偏置电路是三极管另一种常见的偏置电路。这种偏置电路的形式固定，所以识别方法相当简单。
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偏置电路
- 采用一个电源的互补对称电路的偏置电路1.静态偏置调整R1、R2阻值的大小，可使Vk=1/2Vcc此时电容上电压Vc=1/2VCC2.动态工作情况此电路存在的问题：K点电位受到限制VB1=VCC-VCES+VBE>VCC...
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电源 互补对称 偏置电路
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MAX5026 可编程 APD 偏置电路
偏置电路介绍
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