ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
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SiC 功率器件 ROHM
4月22日下午，格力电器召开2025年第一次临时股东大会，相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼，本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。据悉，该工厂自2024年投产以来，其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。SiC材料具有高耐压、高频率、高效率等优势，能够显著提升空调的能效。搭载SiC芯片后，空调的电能转换效率得到优化，制冷制热效果增强，实现能耗降低，同时可以提升产品性能、降低能耗，增强格力空调的市场竞争力。格力该工厂是全球第二座、亚洲首座全自动化6英寸碳化硅
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格力 家用空调 SiC
全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
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英飞凌 碳化硅 沟槽栅技
近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1
mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
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清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
碳化硅 （SiC） 正在接管电动汽车中的三相牵引逆变器，将电池中的直流电转换为用于控制电机的交流电。但是，由于 SiC 能够处理更高的电压、更好的散热和更快的开关频率，因此也适用于更紧凑的电动机中的三相逆变器。其中包括数据中心的电子换向 （EC） 冷却风扇，这些风扇消耗了更多的电力来运行 AI 训练和推理，并在此过程中产生了更多的热量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模块 （IPM），与 IGBT 相比，为这些冷却风扇带来了更高的功率密度和效率。1,200 V 模块基
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SiC 数据中心 冷却风扇 高密度电源 安森美
电能与智能是现代社会发展的两大主题，电能如同工业文明的血液系统，提供物理世界运行的能量基础，智能恰似数字文明的神经网络，构建数字空间的决策中枢。作为电能转换的智能开关，功率半导体在构建现代社会能源体系中发挥着关键性的枢纽作用，通过对电压、电流和频率的精准调控，功率半导体可以有效地提升电能转换效率。经过七十年的发展，功率半导体经历了两次大的技术升级，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS为代表的第二代功率器件替代以可控硅晶闸管和MOSFET为代表的第一代功率器件，由于同属硅基材料体系，第二代功率器件兼具成
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如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
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SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
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SiC
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器件的拓扑架构，更对关键电参数、独特性能优势及设计支持体系进行全方位解读，为功率半导体开发者提供从基础理论到实践应用的完整技术指引。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其
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安森美 碳化硅 共源共栅 cascode
_____为了减缓气候变化，人类在非化石燃料和可再生能源解决方案方面取得了显著进展，交通领域的电气化进程也在加速推进。这些新兴技术大多对电源提出了更高的要求，尤其是对大功率的需求。例如，电动汽车（EV）的电池包电压已高达900 VDC以上，容量可达95kWh；快充和超充系统功率更是轻松突破240kW。氢燃料电池堆作为另一种汽车供电技术，其功率可超过500kW，电流高达1000A。市场需求下的挑战一方面，我们需要摆脱化石燃料，另一方面，全球能耗又在不断攀升。服务器农场就是一个能源需求更高的例子。为了有足够的
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碳化硅 碳化硅MOSFET
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
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Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
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Nexperia SiC MOSFET
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
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三菱电机 SiC MOSFET
简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图 1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体
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碳化硅 Cascode
简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。特性Si4H-SiCGaN禁带能量（eV）1.123.263.50电子迁移率(cm2/Vs)14009001250空穴迁移率(cm2/Vs)600100200
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碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
碳化硅（sic）介绍
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