- 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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三菱电机 SiC 栅极绝缘层
- 做了一个3KW碳化硅电源！(全称：碳化硅3KW图腾柱PFC)它能起到什么作用？具体参数是（第1章）？怎么设计出来的（第2章）？实测情况（第3章）？原理是（第4章）？开源网址入口（第5章）？下文一一为你解答！1.基础参数双主控设计：CW32+IVCC1102输入：AC 110V~270V 20Amax输出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W设计功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作为3KW LLC电源或者全桥可调电源的前级PFC环节；②
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碳化硅 3KW 电源 电路设计
- 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
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三菱电机 SiC
- 为适应公司战略发展需要，经深圳市市场监督管理局核准，深圳基本半导体有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商变更登记手续，公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。此次股份改制是基本半导体发展的重要里程碑，标志着公司治理结构、经营机制和组织形式得到全方位重塑，将迈入全新的发展阶段。从即日起，公司所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科技集团总部大楼，详细地址为：深圳市坪山区龙田街道老坑社区光科一路6号青铜剑科技大厦1栋801。股改完成后
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率芯片
- SiC 功率器件市场规模逐年扩大，并将保持高速增长。
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SiC 功率器件
- 意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
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意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
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东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET 驱动逆变器
- Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。SMFA非对称系列是市场
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SiC MOSFET栅极保护 非对称瞬态抑制二极管 Littelfuse
- 碳化硅（SiC）6吋基板新产能大量开出，严重供过于求，报价几乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（约中国大陆制造成本价），第四季价格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。产业人士指出，价格崩盘已让绝大多数业者陷入赔钱销售，而买家不敢轻易出手捡便宜，因为买方预期SiC价格还会再下降。而明日之星的8吋SiC基板，虽未到真正量产，但2024年报价已快速下滑，尤其是中国大陆价格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。业者分析，8吋SiC基板并没有标准价格，供应链端仍属于试产阶段，供给
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碳化硅 基板
- 据“融中心”消息，大连市中韩经济文化交流协会、韩中文化协会及安徽钜芯半导体科技有限公司（以下简称：钜芯半导体）在安徽省池州市举行了一场签约仪式。此次签约标志着三方在碳化硅领域的合作正式开始。据悉，三方本次合作的核心内容围绕碳化硅衬底、碳化硅外延片及汽车空调关键零部件的生产展开，将共同打造高质量的碳化硅产品生产线。据了解，今年以来，部分韩国半导体厂商正在持续发力碳化硅产业，并不断取得新进展。据韩媒ETnews报道，今年3月26日，半导体设计公司Power Cube
Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2
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碳化硅 钜芯半导体
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圆厂布局。
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SiC
- 国际能源署（IEA）今年发布的报告称，2023年全球与能源相关的二氧化碳排放量达到374亿吨，较2022年增加4.1亿吨，再创新的记录。其中，交通运输排放增长最为显著，激增近2.4亿吨，位居第一。轨道交通的温室气体排放约为航空出行的五分之一，对于由可再生能源发电驱动的电气化列车，这一比率则更低。因此，扩建轨道交通基础设施及电气化改造是减少CO2排放和实现气候目标的关键。与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在
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碳化硅 功率模块 轨道交通
- 压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了可以提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，对电池的使用寿命、充电速度和续航里程都至关重要。图1.电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件电动压缩机需
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压缩机 汽车空调 SiC
- 意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
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STPOWER SiC MOSFET 驱动逆变器
碳化硅（sic）介绍
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