SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比，因此为了提高耐压，必须增加器件的厚度。而
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三菱电机 SiC SBD
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。今日开始支持批量供货。在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有，在栅极关闭时，对栅极施加负电压。对于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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东芝 SiC MOSFET 栅极驱动 光电耦合器
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。在第一篇文章(SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！https://www.eepw.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并联的五大难题，破解方法终于来了！https://www.eepw.com.cn/article/202503/467644.htm)中我们重点介绍了SiC JFET并联设计的挑战，本文将介绍演示和测试结果。演
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SiC JFET 并联设计
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) ，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电近日宣布，双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（即“安意法半导体有限公司”，以下简称安意法）现已正式通线。这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。三安光电和意法
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安意法 意法半导体 碳化硅 碳化硅晶圆
在这里，我们比较了碳化硅 （SiC） 与硅以及在汽车和可再生能源等行业的电力电子中的应用。我们将探讨硅和碳化硅之间的显著差异，并了解 SiC 为何以及如何塑造电力电子的未来。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改变电力电子的未来电力电子技术在过去几年中取得了前所未有的进步。硅 （Si） 等传统半导体材料一直主导着电力电子和可再生能源行业。然而，碳化硅 （SiC） 的出现彻底改变了这一领域，为卓越的性能和效率铺平了道路。无与伦比的效率、热性能和高压能力使碳化硅成为用于电子和半导体器件的下一代半导体材料。硅与
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碳化硅 SiC 电力电子
1 我国能源汽车已突破1000万辆，今年将增长24%据赛迪顾问 2024 年 12 月发布的数据预测显示，我国新能源汽车的新车全球市占率有望稳居七成以上，我国从汽车大国迈向汽车强国的步伐更加坚实。据中国汽车工业协会的统计数据显示，2024年我国汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7％和4.5％，继续保持在3000万辆以上规模，产销总量连续16年稳居全球第一。其中，新能源汽车产销首次突破1000万辆，分别达到1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4％和35.5
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电驱 碳化硅 SiC 新能源汽车 800V
自央视频官方获悉，格力电器董事长董明珠在纪录片中，再次回应外界对格力造芯片质疑，并谈到了格力建设的芯片工厂，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力电器孤勇地冒险，是作为中国制造企业的责任与担当。格力做了亚洲第一座全自动化的碳化硅工厂，整个芯片的制造过程是自己完成的。而在芯片工厂制造的过程中，格力解决了一个最大的问题。“传统的芯片工厂用的环境设备都是进口的，比如恒温状态，而这正好是格力强项。所以我们自主制造了整套系统的环境设备，要比传统的降温模式更节能，而这可以降低企业的成本。”董明珠也
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格力电器 SiC 芯片工厂
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM)，如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 则采用了一
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Wolfspeed 碳化硅 高功率应用
● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
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英飞凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
SiC 器件性能表现突出，能实现高功率密度设计，有效应对关键环境和能源成本挑战，也因此越来越受到电力电子领域的青睐。与硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的运行频率更高，有助于实现高功率密度设计、减少散热、提高能效，并减轻电源转换器的重量。其独特的材料特性可以减少开关和导通损耗。与 Si MOSFET 相比，SiC 器件的电介质击穿强度更高、能量带隙更宽且热导率更优，有利于开发更紧凑、更高效的电源转换器。安森美 (onsemi)的 1200V 分立器件和模块中的 M3S
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SiC 电源转换
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：激光剥离工艺与多线切割工对照：有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC衬底产业带来了轻资产、高效益的新模式，也为其他硬质
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激光剥离 碳化硅
简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM)，如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 则采用了一种更为广泛
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第4代碳化硅 碳化硅 Wolfspeed
英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。英飞凌200mm SiC晶圆Rutger Wijburg博士—英飞凌科技首席运营官我们正在按计划实施SiC产品
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英飞凌 200mm SiC
碳化硅（SiC）作为一种高性能材料，在大功率器件、高温器件和发光二极管等领域有着广泛的应用。其中，基于等离子体的干法蚀刻在SiC的图案化及电子器件制造中起到了关键作用，现分述如下:干法蚀刻概述碳化硅反应离子蚀刻碳化硅反应离子蚀刻案例ICP的应用与优化1、干法蚀刻概述干法蚀刻的重要性精确控制线宽：当器件尺寸进入亚微米级（<1μm）时，等离子体蚀刻因其相对各向异性的特性，能够精确地控制线宽，成为SiC蚀刻的首选方法。化学稳定性挑战：SiC的化学稳定性极高（Si-C键合强度大），使得湿法蚀刻变得困难。湿法
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碳化硅 蚀刻工艺 干法蚀刻
碳化硅（sic）介绍
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