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京大等三家开发成功SiC外延膜量产技术

•    京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，面向混合动力车的马达控制用半导体等环境恶劣但需要高可靠度的用途，“各厂商供应工程样品，并获得了好评”。      此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。
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