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2021年DRAM与NAND增长快，美光领跑研发与新技术

• 近日，美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会，该公司举办了线上媒体沟通会，执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测，以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1   2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年，全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测，半导体产业预计增长可达12%，整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中，内存与存储预计增长可达19%，增度远超整
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美光科技：DRAM芯片供应紧张将持续数年，NAND产能今年保持稳定

• 存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称，预期今
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TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 层 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

• 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
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SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务，存储芯片格局或生变

• 半导体并购再起。2020年以来，半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM，AMD洽谈收购赛灵思，半导体领域接连出现重大变数，金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过，英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星在20
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研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

• 据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

• 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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游戏新机上市填补云端需求空缺 三季度NAND Flash价格波动有限

• 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查，尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降，但云端服务、远距教学的需求也同步催生，加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货，促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言，目前需求以SSD占最大宗，与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出，当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻，初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变，首次转进SSD的
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三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

• 据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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集邦咨询：数据中心需求大增，NAND Flash营收成长8.3%

• 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求
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集邦咨询：数据中心需求大增，第一季NAND Flash营收成长8.3%

• 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。
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英特尔最新发展蓝图：明年或全面转向144层堆叠NAND

• 处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步，开始有了新的进度。根据外媒报导，英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图，在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下，作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
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群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

• 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

• 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
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长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出

• 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总
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