- 芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写 例如，在有对Flash写入或擦除操作的代码中，如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数，这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况，可以在程序中设置多个允许操作的变量，当执行写入或擦除操作时，对
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Flash 芯片
- 驱动程序识别设备时，有以下两种方法： (1)驱动程序本身带有设备信息，比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时，就可以根据这些信息来识别设备。 (2)驱动程序本身没有设备信息，但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时，将驱动程序与这些设备逐个比较，确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配，就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。 内核常使用第二种方法来识别设备，这可以将各种设备集中在一个文件中管理，当开发板的配置改变时，便于修改代码。在内核文件incl
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NAND 驱动
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash 英特尔
- NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)
根据DIGITIMES的报导，NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业，2017年将增加至13兆韩元，其中4兆韩元用于DRAM，Flash则约9兆韩元，远不如原
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Flash 存储器
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨，在MLC-SSD部分，季涨幅达6～10%，TLC-SSD部分则上涨6～9%。展望2017年第一季，虽然终端产品实际销售状况仍保守，但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期，及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下，预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
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SSD NAND
- 早前报导，中国存储三大势力成形，目前长江存储、晋华集成已积极展开建厂、布建产能，就差合肥团队还未有相关消息，现在相关招募信息与环评结果曝光，也透露更多发展信息。
中国发展存储成三路进击，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也蠢蠢欲动，现在从兆易创新的招募消息与合肥长鑫的环评公告，也可一窥其在合肥的布局。
合肥将发展存储的消息已不是新闻，但原先传出与合肥市政府合作的尔必达前社长坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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长江存储 Flash
- 日本存储器大厂东芝(Toshiba)主要的获利支柱的智能手机存储器因市场需求大，带动价格上扬，2016上半会计年度(4~9月)的财报也因而受惠，表现亮眼。
东芝财务长平田政善在11日东芝财报记者会上说明，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求殷切，东芝NAND Flash事业获利超出预期。
平田表示，在当今智能手机大打硬件规格战，竞争激烈的情况下，大陆本土手机业者推出的手机较当初预期更早进入64GB、128GB阶段，是东芝始料未及的趋势。根据日经调查，目前市况单一标准规格存储器约3美元，价格
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东芝 NAND
- 据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
- 根据彭博社的报导，受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长，加上撙节计画的奏效，日本最大半导体生产公司东芝 (Toshiba) 于 31 日将公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的预期营业利益上调 36%，来到 950 亿日圆 (约新台币 285.83 亿元 )，似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。
根据报导，东芝在声明中表示，除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外，还同时微幅上调了上半年的预期营收，从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示
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东芝 NAND
- 容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
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3D NAND SSD
- 慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容
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NAND SSD
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。
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Flash NAND FAT 文件系统
- 随着近段时间以来，固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价，影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒，开始浮出水面，被越来越多的业内人士，反复解读。
那么，在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面，我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。
闪存颗粒的释义及厂商
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单
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NAND 存储器
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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