- 在国家意志的推动下，中国存储企业大多是不差钱的主，完全可以在没有后顾之忧的情况下，砸出工艺，暴出产能，在如此力度的政策、资金扶持下，武汉新芯、紫光等中国企业能重演京东方在面板产业的逆袭么？
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存储器 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展记忆体产业的态势下，将开始进入新的里程碑。
DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Fla
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NAND 存储器
- 国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出，3D NAND、DRAM与10奈米制程等技术投资，将驱动2016年晶圆厂设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元;而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。
SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成
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晶圆 3D NAND
- 国内终于要有了存储，剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。
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3D NAND 存储
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。虽然无法预测需要多长时间，但希望能获得新生，成为一家能永久发展下去的企业”。东芝于2016年3月18日在东京召开了2016年度业务计划说明会，代表执行董事社长室町正志在会上这样说道。
东芝的一系列结构改革都已有了目标。在说明会前一天，东芝宣布将把医疗器械子公司——东芝医疗系统出售给佳能，将把白色家电业务出售给美的集团(参阅本站报道1)。关于个人电脑业务与其他公司进行业务合并一事，室町表示“希望在201
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东芝 NAND
- Flash存储器，简称Flash，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上，Flash总类可谓繁多，功能各异，而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash，今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点，给大家一个全新认识。 一、IIC EEPROM IIC EEPROM，采用的是IIC通信协议;IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)
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Flash EEPROM
- 资料储存解决方案大厂NetApp表示，经由云端与Flash两股推力驱动，让近年IT基础架构进入新一波的转型期，其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升，将让2016年成为IT的精简之年。
此外值得注意的是，TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降，预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低，并让All Flash资料中心的将进入主流储存领
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Flash SAS
- 为了进一步提高NAND Flash生产效益，2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产，但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限，加快向3D技术导入已迫在眉睫，2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。
1、积极导入48层3D技术量产，提高成本竞争力
与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。
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3D NAND 2D
- 除供过于求价格下滑幅度加剧，现阶段主流NANDFlash制程转进已遇到瓶颈，另外开发与生产过程良率不佳的问题，制程转进所带来的成本下滑效益逐渐缩减。
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NAND 美光
- 2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash製程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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NAND 三星
- 2015年第四季整体 NAND Flash 市况持续供过于求，除通路颗粒合约价下滑9~10%外，智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑等OEM装置出货不如预期，也让eMMC与SSD价格单季下滑幅度扩大至10~11%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在价格下滑幅度明显高于位元销售的情况下，第四季NAND Flash品牌商的营收较第三季衰退2.3%。该机构研究协理杨文得表示，除价格下滑幅度加剧外，现阶段主流NAND Flash制程转进已遇到瓶颈，三星(Sam
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NAND SSD
- 今年，半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术，从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。
由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求，促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微，推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下，对厚度和一致性能够进行精确的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备，对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外，随着越来越多支持图案
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半导体 NAND
- 2015年中国半导体厂商在NANDFlash产业链相关的布局与投资逐渐加温。除了在晶圆制造端的布局外，主控芯片得益于在整体NANDFlash产业极大的战略地位，也将成为下一波中国半导体业值得关注的焦点。
TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在营运上中国国产主控芯片厂商除直接销售芯片外，多半推出完整的固态硬盘解决方案以便直接切入市场应用。主要目标客户群多以企业级存储、政府机关与国防军工等原先合作关系密切，或是有投资关系的战略伙伴为主。产品开发则倾力下个世代
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NAND SSD
- 在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德国纽伦堡举行的2016嵌入式世界展会，在1号厅160号展台向业界展示其针对汽车、工业和物联网应用的各种嵌入式存储及图形解决方案。 慧荣科技展台将展出如下产品： Ferri-eMMC®解决方案 Ferri-eMMC解决方案是一款集成了NAND闪存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸产
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慧荣科技 NAND
- 未来中国国产主控晶片产业与行业内公司的发展将呈现百花争鸣的态势，产品应用也有机会从企业级储存产品，向下延伸至消费性产品，这也是下一波国内半导体的焦点。
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NAND 半导体
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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