据海外媒体报道，东芝(Toshiba)计划领先三星电子(Samsung Electronics)于2016财年开始量产64层3D NAND Flash存储器芯片。日经亚洲评论(Nikkei Asian Review)报导，东芝于7月15日举办日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂启用仪式，未来将在此工厂生产64层NAND Flash。
64层NAND Flash较东芝和三星目前生产的48层NAND Flash容量高30%，虽然价格较高，但每单位容量会比48层版的便宜。若应用于智能型手机
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东芝 NAND
有关中国半导体业发展的讨论已经很久了，似乎路径已经清晰，关键在于执行，以及达成何种效果。受现阶段产业大环境的影响，仍由政府资金主导，因此非市场化的因素尚在，产业的波浪式前进似乎不可避免，中国半导体业发展需要采用研发、兼并及合资与合作的三驾马车，这三者都十分重要，需要齐头并进。
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半导体 NAND
许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本，如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列，也改变了既有的全快闪储存市场消长
在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期，唯一的卖点便是高效能，应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境，后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。
我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段：
第一阶段是效能导向。提供高效能，是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的，早期的全快闪储存阵
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Flash 存储器
备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M，并强调将用于各种固态硬碟(SSD)，也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了，我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。
图1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND Flash产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。
关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash，成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
东芝为全球第2大NAND Flash厂商，市占率仅次于三星电子。
日经、韩国先驱报(
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东芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元，属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片，预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中，将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元，意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
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韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。
3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半;采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业革命的技
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3D NAND 半导体
第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
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全球在2016年与2017年将开始兴建的晶圆厂至少有19座，其中有半数以上都是在中国。
根据SEMI的统计，全球在2016年与2017年将开始兴建的晶圆厂至少有19座，其中有半数以上都是在中国;而2016年全球半导体厂商晶片制造设备支出估计将可达到360亿美元，较2015年增加1.5%，2017年则可望再成长13%、达到407亿美元。
包括全新、二手与专属(in-house)晶圆厂设备支出，在2015年衰退了2%;而SEMI预期，3D NAND快闪记忆体、10奈
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晶圆 NAND
三星西安工厂受到变电站爆炸停电影响，对供应紧张的NAND Flash雪上加霜，不过事故后回复速度很快，给当地供电局和三星应急处理点个赞。
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据韩国时报报导，三星电子于15日宣称“2017年底前斥资25兆韩元扩充3D NAND型快闪存储器产能”的投资内容尚未敲定，但有分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。
barron`s.com16日报导，JP摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆 (西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。
另外，三星也将善用Line
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三星 NAND
中国砸银弹扶植半导体进度、成效惊人，国际半导体设备材料产业协会(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五发布最新报告指出，今明两年全球新增的半导体产能，预估有超过一半都将来自中国。
据SEMI表示，全球2016-2017年共将兴建17座半导体厂，当中有10座设在中国，其中两座生产存储器、晶圆代工四座、剩余四座规模较小，主要生产类比式芯片、微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems)与
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nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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