- 南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
- 全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
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三星 东芝 NAND Flash
- 根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬续跌5~10%，亦即8月合约价较7月重跌11~18%
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存储器 NAND Flash芯片
- 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包
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3D垂直闪存 V-NAND 固态硬盘
- 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
- 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
- 随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路，IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态，期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
- 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了DSP
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硬件设计 FlaSh DSP
- 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
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Flash SRAM 触发中断
- 市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，
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NAND Flash
- 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下，2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证，美光(Micron)公司有意将这套已出现两
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美光 企业级闪存 NAND
- 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash，一直都是很多用户头疼的难点，他们强调已经使用了正确的坏块管理方案，也制定了规范的操作流程，但是烧录的良品率还是无法提高，只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
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烧录 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
- 存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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