半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。
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存储器 NAND
TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自动加载的设计,摘要 为实现数字信号处理器的加栽，介绍了TMS320C6455的各种加载模式，尤其是对外部ROM的引导方式，以及一种无需数据转换即可通过数据加载将用户程序写入Flash的方法。以TMS320C6455为例，同时结合LED灯闪烁实例验证
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DSP 加栽模式 二次加载 Flash
据外媒报道，东芝今天将截至9月份的上半财年营业利润预期上调一倍以上至700亿日元(约合6.95亿美元)，此前预期为300亿日元。
受此消息推动，东芝股价在周三快速上涨，创下自去年10月以来的最高点。这是东芝第二次上调营业利润预期，该公司在今年5月份最初预计上半财年将营业亏损200亿日元。
智能机存储芯片的强劲需求推动东芝上调营业利润预期。另外，比东芝保守预期更为疲软的日元汇率也发挥了推动作用。
芯片需求的增长源于中国智能机出货量的强劲表现。尽管全球智能机市场表现乏力，但是中国智能机出
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东芝 NAND
先前，因为受到连续7年作假帐风波，因而导致公司商誉严重受损，并且冲击投资人信心的日本电子大厂东芝(Toshiba)，28日宣布上调2016年上半年度的获利预测，预估将上调至850亿日元的水准，较原本预估的700亿日元调高21.43%，每股EPS也将达到20.08日元，等于宣告正式摆脱公司作假帐的阴霾。
东芝于28日发出的消息表示，由于受惠于智能手机对于NAND闪存的提升，尤其在中国市场，在手机制造商不断提升产品的储存能力，所以需要性能越来越好的NAND闪存产品，导致相关价格的不断上扬，如此以进一
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东芝 NAND
日媒称，日本半导体制造装置协会日前宣布8月份半导体制造设备的订货金额(3个月移动平均值，速报值)为1348亿日元(约合人民币90亿元)，同比增长30.8%。这是自2014年3月(34.0%)以来时隔29个月增长率首次超过30%。中国半导体制造商兴起、半导体的微细化、立体化这三大变化为整个产业带来了活力。另一方面，半导体设备制造商之间的优胜劣汰也有可能变得更加明显。
据外媒报道，“采购设备的时间提前了”，东电电子社长河合利树无法掩饰他对半导体制造商们强烈设备投资欲的惊讶。
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半导体 NAND
据韩联社9月19日报道，韩国市场调研机构IHS和半导体业界19日消息，三星电子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，销售额占有率为11.3%，与英特尔的差距缩小到3.4个百分点。
今年第二季度三星电子销售额达94.52亿美元，排名第一的美国英特尔半导体销售额达122.72亿美元，市场份额为14.7%。
三星与英特尔的市场份额差距在2012年达5.3个百分点，2013年为4.2个百分点，2014年3.4个百分点，2015年为3.2个百分点。虽然，今年第一季度差距拉大到4个百分点以上，但
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半导体 NAND
第二季NAND Flash品牌商营收较上季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。
受惠于中国智慧型手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧;TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，2016年第二季eMMC、用户级固态硬碟与企业级固态硬碟的合约价跌幅开始收敛，通路端wafer价格更从四月起逐月走扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。
DRAM
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NAND 三星
美光公司日前开始量产其32层(32L) 3D NAND快闪记忆体，包含该元件的首批商用下游产品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1所示，这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)改善了90倍，据称也更加耐用。
Crucial SSD的售价为200美元，这使其成为笔记型电脑应用最具吸引力的选项，而且我们发现有越来越多的电脑设备开始利用SSD取代传统HDD。HDD也许将逐渐被市场所淘汰，不过必须承认的
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美光 3D NAND
受惠于中国智能手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，第二季eMMC、消费级固态硬盘与企业级固态硬盘的合约价跌幅开始收敛，渠道端wafer价格更从4月起逐月上扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季度连续衰退的颓势。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季
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美光 NAND
武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对
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3D NAND
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成，且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
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三星 东芝 NAND Flash
根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬续跌5~10%，亦即8月合约价较7月重跌11~18%
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存储器 NAND Flash芯片
韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包
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3D垂直闪存 V-NAND 固态硬盘
三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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