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nand flash 文章 进入nand flash技术社区

不甘心三星拿下NAND市场最大份额 Intel推出市场最低价产品

  •   三星在手机市场遭遇一定挫折,不过由于全球手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家,据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%,市占率提升到36.6%创下新高。   目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎,由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度,在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量,例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB,而采用21nm工艺的三星 48层3D NAN
  • 关键字: Intel  NAND  

三星Q3稳居全球NAND市占王,东芝开倒车、被远远甩开

  •   三星凭藉着技术优势,NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠,龙头位置越座越稳。   市调机构DRAMeXchange最新数据显示,三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元,市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。(韩国经济日报)   同期间,东芝NAND存储器营收为20.26亿美元,市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%,落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%,此为历史新高水平。   刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%
  • 关键字: 三星  NAND  

Flash数据为何不翼而飞

  •   芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行,从而造成整个系统崩溃,下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。        1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写  例如,在有对Flash写入或擦除操作的代码中,如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数,这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况,可以在程序中设置多个允许操作的变量,当执行写入或擦除操作时,对
  • 关键字: Flash  芯片  

[ARM笔记]驱动对设备的识别过程及实例——NAND Flash

  •   驱动程序识别设备时,有以下两种方法:  (1)驱动程序本身带有设备信息,比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时,就可以根据这些信息来识别设备。  (2)驱动程序本身没有设备信息,但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时,将驱动程序与这些设备逐个比较,确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配,就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。  内核常使用第二种方法来识别设备,这可以将各种设备集中在一个文件中管理,当开发板的配置改变时,便于修改代码。在内核文件incl
  • 关键字: NAND  驱动  

NAND Flash供不应求,第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,第三季NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%,营业利益率也较上季大幅进步。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,第四季各项终端设备出货进入今年最高峰,预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著,各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高,厂商的营收
  • 关键字: NAND Flash  英特尔  

Flash缺货,存储器成为三星的摇钱树

  •   NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1。(法新社)   根据DIGITIMES的报导,NAND Flash缺货,加上SSD可能是新款电子产品的重要选择,缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业,2017年将增加至13兆韩元,其中4兆韩元用于DRAM,Flash则约9兆韩元,远不如原
  • 关键字: Flash  存储器  

SSD价格2016年来首度大涨,明年第一季价格估将持续走升

  •   TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨,在MLC-SSD部分,季涨幅达6~10%,TLC-SSD部分则上涨6~9%。展望2017年第一季,虽然终端产品实际销售状况仍保守,但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期,及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下,预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
  • 关键字: SSD  NAND   

GNU ARM汇编--(十九)u-boot-nand-spl启动过程分析

  • 在理解bootloader后,花些时间重新学习了开源软件的makefile和相关脚本之后,自己的u-boot移植工作也比较顺利的完成了:移植
  • 关键字: ARM汇编u-boot-nand-spl启动过  

中国存储三大势力成形 各自进击

  •   早前报导,中国存储三大势力成形,目前长江存储、晋华集成已积极展开建厂、布建产能,就差合肥团队还未有相关消息,现在相关招募信息与环评结果曝光,也透露更多发展信息。   中国发展存储成三路进击,除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成,第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也蠢蠢欲动,现在从兆易创新的招募消息与合肥长鑫的环评公告,也可一窥其在合肥的布局。   合肥将发展存储的消息已不是新闻,但原先传出与合肥市政府合作的尔必达前社长坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
  • 关键字: 长江存储  Flash   

大陆存储器需求进展超预期 东芝经营压力暂时松口气

  •   日本存储器大厂东芝(Toshiba)主要的获利支柱的智能手机存储器因市场需求大,带动价格上扬,2016上半会计年度(4~9月)的财报也因而受惠,表现亮眼。   东芝财务长平田政善在11日东芝财报记者会上说明,由于大陆智能手机对于大容量存储器需求殷切,东芝NAND Flash事业获利超出预期。   平田表示,在当今智能手机大打硬件规格战,竞争激烈的情况下,大陆本土手机业者推出的手机较当初预期更早进入64GB、128GB阶段,是东芝始料未及的趋势。根据日经调查,目前市况单一标准规格存储器约3美元,价格
  • 关键字: 东芝  NAND   

SK海力士本月底将量产48层3D NAND Flash

  •   据韩国经济报导,传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证,最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片,3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。   业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外,其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技术瓶颈,SK海力士将是第二家进入量产的业者。
  • 关键字: SK海力士  NAND   

中国半导体市场畅旺 东芝再次上调 2016 上半年获利预估

  •   根据彭博社的报导,受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长,加上撙节计画的奏效,日本最大半导体生产公司东芝 (Toshiba) 于 31 日将公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的预期营业利益上调 36%,来到 950 亿日圆 (约新台币 285.83 亿元 ),似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。   根据报导,东芝在声明中表示,除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外,还同时微幅上调了上半年的预期营收,从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示
  • 关键字: 东芝  NAND   

技术革新日新月异:3D NAND及PCIe NVMe SSD晋升巿场主流

  • 容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快,新世代SSD产品的卓越价格性能比,预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距,两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点,高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
  • 关键字: 3D NAND  SSD  

技术革新日新月异:3D NAND及PCIe NVMe SSD晋升巿场主流

  •   慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航   以相同的成本,却能达到倍增的容量,各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入,预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快,新世代SSD产品的卓越价格性能比,预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距,两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点,高速大容
  • 关键字: NAND  SSD  

基于TMS320C6678的多核DSP加载模式研究

  • 摘要:德州仪器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架构的最高性能的DSP器件,是市场上应用广泛的C6455高端处理平台升级的理想选择。本文主要研究了C6678 DSP程序的各种单核加栽和多核加载的几种模式
  • 关键字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引导  SRIO  网络  
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nand flash介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

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