苹果iPhone 7已展开备货,记忆体容量倍增,销售也看好,业界预期第3季NAND快闪记忆体的需求将好转,大厂的产能将转向NAND快闪记忆体,这将带动DRAM市况也趋健康,记忆体模组厂创见、威刚、宇瞻等,预估下半年营运会比上半年好。
创见预期今年记忆体市况将比去年好转,主要因上游大厂资本支出较保守,产能增加有限,致使价格趋缓跌;受惠智能手机等产品储存容量不断上升,加上SSD取代硬盘态势成形,SSD需求强劲,储存型快闪记忆体(NAND Flash)下半年市况比DRAM佳。
威刚董事长陈立白日
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NAND DRAM
为什么烧录Nand Flash经常失败?为什么烧录成功了,一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来?…,等等,问了那么多为什么,那我反问一个问题:你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗?
一、Nand flash的特性
1、位翻转
在 NAND 闪存是通过对存储单元(Cell)进行充电来完成数据存储的,存储单元的阈值电压就对应着数据值。当读取的时候,通过将它的阈值电压与参考点对比来获得其数据值。对SLC 而言,就只有两种状态和一个
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Nand 烧录
存储器是一个严格按照摩尔定律前进、追求低成本的规模经济产业,想做起来太难,在过去的年月里,能够听到的只有不断退出的失败悲歌,中国这次能否在存储器市场占有一定规模呢?
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存储器 NAND
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示,在平均销售单价下滑幅度明显高于位元出货量成长的情况下,第一季NAND Flash品牌商营收较去年第四季下滑2.9%,已连续两个季衰退。
2016年第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响,通路颗粒合约价下滑约10%;智慧型手机、平板电脑与笔记型电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬碟(SSD)跌价幅度扩大至13~18%。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示
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NAND 英特尔
全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)晶片最大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨(21)日表示,固态硬碟(SSD)价格已到甜蜜点,今年出货将大爆发,成为成长最强劲的记忆体产品;法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等,可望掀比价效应。
慧荣是以台湾为研发重心,立足全球的国际公司,上周五(20日)股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高,市值达1.48亿美元(约新台币48.5亿元),同创历史新高。
苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后,针对今年NAND Fl
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NAND Flash
红色供应链来势汹汹,外界原本认为,陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步迅速,可能2018年就能量产3D NAND。
巴 伦(Barronˋs)6日报导,美系外资晶片设备分析师Atif Malik称,中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份,Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate
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新芯 NAND
全球大部分半导体产业都可能笼罩阴霾,但韩国三星电子凭借强大的技术优势可以扩大部分关键产品的市场份额,甚至可能提高营收。这将使三星在逆境中表现优于多数同业。
全球个人电脑(PC)销量下降,以及智能手机增长放缓,让半导体产业遭受沉重打击。英特尔本月宣布将最多裁员1.2万。
高通曾表示,第三财季芯片(晶片)出货量可能下降达22%。SK海力士周二公布季度营业利润下降65%,这是其三年来的最差业绩。
将于周四公布第一季财报的三星,也难免遇挫。市场广泛预计三星芯片获利将会下降,一些分析师预测1-
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DRAM NAND
中国大陆业者在NANDFlash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。
某研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。
预估2012~2016年NANDFlash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NANDFlash仍为高速发展产业。
拓墣
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Flash 晶圆
中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展,成为中国大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,及国际厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片,相较于2015年增长近7倍。
TrendForce预估2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元增长率达47%,其最终消费端需求年平均位增长率亦高达46%,显示NAND Flash仍为高速发
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Flash NAND
苹果已经秘密与三星谈下合作,在iPhone上采用三星的NAND闪存芯片。时隔5年,苹果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone将会采用AMOLED屏幕。
先前苹果不用三星闪存,是因为三星希望在闪存颗粒封装上采用特殊图层的方式来做电池干扰屏蔽,但是三星并不愿意做。如今台湾供应商发出了喷涂图层工艺,三星有望使用这个技术,来让闪存颗粒满足苹果的EMI屏蔽标准。又因为这一工艺较为廉价,所以三星比较重视。
使用三星NAND闪存颗粒+AMOLED
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苹果 NAND
传闻三星电子(Samsung Electronics)半导体暨装置解决方案事业部(DS)正与多家业者共同进行EMI遮蔽制程研发,有意重启对苹果(Apple)供应NAND Flash存储器,过去4年来三星电子与苹果的NAND Flash交易中断。
据韩媒ET News报导,日前业界表示,三星电子正与PROTEC、诺信(Nordon Asymtek)、韩松化学(Hansol Chemical)、Ntrium等多家点胶机(Dispense)业者,共同研发以喷涂(Spray)方式进行EMI遮蔽制程。
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三星 NAND
韩厂积极打进苹果iPhone供应链。韩国媒体报导,三星电子计画提供NAND型快闪记忆体给iPhone,这将是睽违4年后三星电子NAND型快闪记忆体重返iPhone供应链。
韩国网站媒体ET News报导,苹果从2012年iPhone 5推出开始,就没有采用三星电子(Samsung Electronics)的NAND型快闪记忆体,在于三星电子并未接受苹果要求、在NAND型快闪记忆体封装技术上采用电磁干扰屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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三星 NAND
大陆国营企业武汉新芯(XMC)最近发表约240亿美元的投资计划,将以武汉为基地,兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。依韩国业界看法,武汉新芯与三星电子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技术差距,但将是大陆市场上的潜在最大对手。
据韩联社报导,大武汉新芯最近发表27兆韩元(约240亿美元)的投资计划,将以武汉为基地,兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。地方政府已从投资机构湖北省集成电路产业投资基金方面取得钜额资金。
韩联社引述EE Times
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新芯 NAND
国内大力扶持存储,各种巨额的投资项目争议不小,但是为了存储自主的未来,也值。
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存储器 3D NAND
不论是NAND闪存还是DRAM内存领域,韩国两家公司三星、SK Hynix总算还能保住吃香喝辣的日子,但美国的美光公司这两年就没啥舒服日子了,技术、产能都落后友商,偏偏现在又遇到了内存、闪存降价,跌跌不休的价格导致美光营收下滑了30%,当季净亏损9700万美元,对未来季度的预测同样悲观。
美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报,当季营收29.3亿美元,上季度为33.5亿美元,去年同期为41.66亿美元,同比下滑了30%。
美光当季毛利只有5.79亿美元,远远低于上季度的8
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DRAM NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [
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