- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美国旧金山举行)会议上，NAND的大容量化和微细化、SRAM的微细化，以及DRAM的高带宽化等存储器 技术取得稳步进展，接连刷新了历史最高纪录。除了这些存储器的“正常推进”之外，此次的发表还涉及车载高可靠混载闪存等的应用、新型缓存及TCAM，内容 丰富。 存储器会议共有3个。分别以非易失存储器、SRAM、DRAM为主题。3场会议共有14项发表。其中有12项来自亚洲，日本有2项(内容均为非易失存储器)。下面来介绍
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存储器 NAND
- 全球DRAM市场先抑后扬。2015年DRAM收入预计下降2.4%，2016年将下降10.6%，有望在2017年与2018年迎来复苏。但是，预测随着中国公司携本地产品进入DRAM市场，DRAM价格将在2019年再次下降;占2014年内存用量需求20.9%的传统产品(桌面PC与传统笔记本电脑)产量预计在2015年下降11.6%，并在2016年进一步下降6.7%。
DRAM市场2016年供过于求
近期，我们对于DRAM市场的预测不会发生显著变化;2015年与2016年将遭遇市场总体营收下滑，而在
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3D NAND
- 根据日本当地的财经媒体《日经新闻(Nikkei)》近日报导，大厂东芝(Toshiba)已经决定出售半导体业务，仅留下快闪记忆体产品线;此举被视为是经历过假帐丑闻、付出高昂组织重整代价的该公司转亏为盈之必要步骤。
未来东芝将专注并强化在快闪记忆体与核能业务的投资与经营，该公司并将上述两大业务做为成长支柱。东芝目前是仅次于三星电子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快闪记忆体供应商，这也是该公司保留记忆体业务、将出售其他半导体业务的原因。
将出售的东芝半导体业务包括类
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Toshiba NAND
- 摘要：现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?
我们总是在说手机内存，那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后，为满足不断增大的系统文件而诞生的，是NAND Flash的升级版,他的结构如下：
我们接触到的16G、32G等手机，为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
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NAND FLASH eMMC
- 慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供应商主流3D NAND产品的交钥匙式企业版SATA SSD控制器解决方案。这款性能增强的控制器解决方案将有助加快推进最具竞争力的高性能SSD产品在市场上的应用。此次2016年拉斯维加斯消费电子展期间(2016 Consumer Electronics Show)，慧荣科技也将展出其使用了升级版SM2246EN
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慧荣科技 3D NAND
- 韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。
韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将
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三星 NAND
- 中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司，期建立自有半导体供应链。现阶段，逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型，反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为，中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者，并设法取得大规模制造产能，以补强记忆体产业发展。
资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示，中国近期积极透过购并，来改善半导体自制比例过低的情形，现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上，已有一定程度的发展，上述领域皆具有本土厂商或已与外商
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NAND Flash 芯片
- 个人电脑(PC)需求放缓严重打击了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超过60%的收入来自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC组件。在过去一年里，美光科技股价跌去了60%。利润和收入大幅下滑。利润率受到挤压。该公司定于周二公布的第一财季业绩料将凸显出艰难的经营环境。
不过从历史角度看，美光科技股价一直波动较大，周期性驱动的电脑芯片业务推动其股价起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)称，过去一年里，美光科技的客户一直在消化内存库存，预计这一
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美光 NAND
- 昨(18)日消息，被东芝(Toshiba)视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器(Flash Memory)”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金;另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。
报导指出，东芝将在12 月21日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急
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东芝 NAND
- 全球经济依旧前景不明，各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守，TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长，2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%，然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发，整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2016年NAND Fl
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NAND Flash TLC
- NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块，或者好的区块中含有一些错误位元，因此在实际应用时，须搭配使用控制器，透过硬体与软体进行坏区块管理，以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元，方能提升嵌入式系统储存效能。
NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速，平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本，在售价大幅下降情况下，愈来愈多嵌入式系统，例如：蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势，取代原本使用的NOR型快闪记
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NAND Flash
- 有报道指出，中国清华紫光集团作为立场建立国内第一条闪存芯片代工体系的带头企业，目前正在积极探寻收购美国芯片技术厂商股权的可能性。
根据路透社方面的报道，清华紫光集团董事长赵卫国指出，他希望该集团能够在未来五年内成为全球第三大芯片制造商。而在今年11月底，该集团可能会与某家目前尚未确定的美国芯片企业达到股权收购协议。
赵卫国指出，考虑到美国政府方面的顾虑，清华紫光集团可能无法购买协议对象的大部分股权。
此前曾经有传闻称清华紫光有意收购美光公司，但由于美国政府认为该公司由中方持有可能造成
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紫光 NAND
- 有报道指出，中国清华紫光集团作为立场建立国内第一条闪存芯片代工体系的带头企业，目前正在积极探寻收购美国芯片技术厂商股权的可能性。
根据路透社方面的报道，清华紫光集团董事长赵卫国指出，他希望该集团能够在未来五年内成为全球第三大芯片制造商。而在今年11月底，该集团可能会与某家目前尚未确定的美国芯片企业达到股权收购协议。
赵卫国指出，考虑到美国政府方面的顾虑，清华紫光集团可能无法购买协议对象的大部分股权。
此前曾经有传闻称清华紫光有意收购美光公司，但由于美国政府认为该公司由中方持有可能造成
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紫光 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，2015年第三季NAND Flash价格下滑速度加快，整体营收仅较第二季成长约2.4%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季原先看好的旺季效应需求并未出现，来自于总体经济面的杂音让各种NAND Flash终端需求销售不如预期，也让第三季整体NAND Flash市场呈现供过于求的格局，价格下滑的力道加强也让业者营收成长与利润保卫也面临挑战，第四季供过于求的情况将持续，营收再度成长的动能也备受考验。
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NAND 美光
- 中国政府积极扶植半导体，南韩三星倍感威胁，最新数据显示三星 NAND 快闪记忆体的市占率被刚间接染红的 SanDisk 抢走，更让韩厂感受到红色供应链的威胁俨然已兵临城下。
DRAMeXchange 第三季统计数据显示，三星 NAND 记忆体市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点，与此同时，东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%，Sandisk 更是成长 2 个百分点至 15.4%。(yonhapnews.com)
中国清华紫光集团目前为硬碟大厂 WD(Western D
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三星 NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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