市场研究机构iSuppli以全球经济不景气为由，调低了2008年全球半导体市场销售收入预期，不过对于整个市场形势仍持乐观态度。
据国外媒体报道，iSuppli的最新预期显示，2008年全球半导体销售收入将增至2914亿美元，较2007年2709亿美元(评估数据)增长7.5%，而iSuppli今年9月份预测的增幅为9.3%，预期增幅减少了1.8个百分点。
iSuppli表示，2008年半导体市场将受到了能源成本上升的不利影响，美国经济2008年的预期并不乐观，而美国经济的影响力自然会波及全球
关键字：
半导体 芯片 NAND 半导体材料
12月18日消息，近日，英特尔公司公布了其将于2008年推出的新产品及推出时间，展示了用于移动装置的固态闪存磁盘。
据国外媒体报道，近日英特尔公司在旧金山举行的新闻发布会上，公布了其将于2008年推出的新产品及具体的推出时间，展示了用于移动装置的固态闪存磁盘，并表示其45纳米升级版双核移动平台将于明年1月份发货，明年年中用于笔记本的固态闪存磁盘也即将上市。英特尔公司表示，升级版Centrino双核移动平台代码为Santa Rosa，将包括一个45纳米处理器，处理HD DVD和蓝光格式高清晰视频的
关键字：
嵌入式系统 单片机 英特尔 闪存 处理器 消费电子
东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。
目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的S
关键字：
嵌入式系统 单片机 东芝 NAND 闪存
Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示，“根据三星日前的报告，我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化，大多数DRAM供应商，尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。”
预计2008年，DRAM领域的资本开支将下滑超过30%，原来预计下降20%。这将导致总体内存资本开支减少10-12%。
在DRAM市场经历了漫长的低迷之后，该市场仍然存在严重的供过于求情况。“这主要由于按容量计
关键字：
嵌入式系统 单片机 DRAM 三星 NAND EDA IC设计
据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
关键字：
NAND 闪存 IC 元件 制造
很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢?
Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。
Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。
伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一
关键字：
闪存 芯片 NAND 存储器
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND的平均销售价格将下降18%。
韩国海力士半导体第三季度增长最快，其NAND销售额比第二季度大增79%，达到8.06亿美元。它的市场份额是19%，在当季全球排名第三。最大的NAND闪存供应商三星电子，市场份额从第二季度的45%降至40%，它出货的闪存数量
关键字：
NAND 闪存 DRAM 存储器
随着日历一天天的翻动，转眼2007年即将成为过去。在这一年里，国内闪存盘市场继续保持着强劲的挺进力，无论是市场规模还是应用领域，都在一步步的扩大;无论是产品品质还是品牌效应，都在一点点的提升。
而仔细盘点，其中又以四大关键词最为耀眼。
降价：延续价格走低曲线
闪存盘面世八年里，价格持续保持着一条走低的曲线，这不仅是产品逐渐成熟的反映，也是产品全面普及的需求。而在2007年，“降价”这一信息似乎更加显得热闹一些。
2007年春节刚过，朗科公司便以迅雷不及掩耳之势发动了一场名为“春
关键字：
嵌入式系统 单片机 闪存 朗科 芯片 嵌入式
固态硬盘明年仍然少见且价格昂贵，但随着其量产，闪存成本的下滑，固态硬盘价格从2009年，2010年开始将开始下降。
DRAM与闪存产品制造商Micron Technology本周公布了固态硬盘发展计划。这种硬盘功能与常规硬盘无异，但与一般硬盘将数据存储在磁碟上不同，固态硬盘将数据保存在NAND内存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一样。
Micron将从明年第一季度开始大规模生产固态硬盘。第一批产品为32GB或64GB型号。虽然容量是现在笔记本电脑硬盘平均容量的一半，但Micron内存
关键字：
嵌入式系统 单片机 固态硬盘 闪存 NAND MCU和嵌入式微处理器
近期，三星和海力士(Hynix)面向台湾的NAND闪存芯片供货量有所下降，另一方面，英特尔和Micron的合资公司IM则推出了更具竞争力的价格并逐步抢占市场，许多分析人士认为未来闪存市场或许将会出现另一番局面。
三星和海力士减少向台湾内存厂商的供货量，是为了满足苹果这类国际大客户的供货需求。东芝也限制了供应量，唯独没有对群联电子(Phison Electronics)采取限制措施，这使得不少台湾企业开始考虑降低对大厂商产品的依赖。
一些台湾内存厂商指出，它们都不愿意继续向三星和海力士采购，
关键字：
嵌入式系统 单片机 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
1 引言
随着嵌入式系统广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和数据管理则成为设计人员考虑的重点。在许多现场不可达数据采集应用中采用分布式数据存储，必然带来数据管理的不便，因此，集中管理数据成为一种思路。利用成熟的网络传输技术集中分布式嵌入式系统数据，采用C/S模式管理数据。对于大容量数据存储，选择介质存储是需要重点考虑的问题。目前大多采用IDE硬盘或SCSI硬盘存储，但都存在抗震和抗电磁干扰能力差、使用温度范围窄，无法长期在恶劣的环境中长期工作。电子式Flash存储器具有速度快、容量大、成本低、体积
关键字：
通讯 无线 网络 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微处理器
美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
关键字：
嵌入式系统 单片机 NAND DRAM 闪存 MCU和嵌入式微处理器
问题与挑战 作为现今普遍接受的移动存储工具,USB闪存盘在各种嵌入式系统中也获得广泛应用。 本文介绍低成本PIC控制器通过USB2.0全速接口与闪存盘进行连接的实现过程，并着重针对PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片说明有关嵌入式接口的硬件设计以及程序的编写。 如今各种闪存盘和USB外设价格已相当低廉,并被广泛应用到带USB接口的PC中.而要将它们应用于8位或16位嵌入式系统中,如何解决成本和功耗等问题才是关键.
关键字：
USB 闪存 PIC 微控制器 连接 嵌入式系统 存储 嵌入式
11月上旬NAND Flash合约价格大致跌幅约为0-5%，比前两个月跌幅明显缩小，主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作，加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求，根据集邦科技(DRAMeXchange)观察，NAND Flash价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。
随着NAND Flash供货商5X纳米制程产品供应量提高后，下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流，导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%，相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来
关键字：
嵌入式系统 单片机 NAND Flash microSD 嵌入式
Spansion以非易失性存储技术的持续创新推动闪存领域的发展。在本世纪初推出MirrorBit技术之后，Spansion以MirrorBit ORNAND技术和2006年推出的世界首款每单元4比特MirrorBit Quad技术，不断引领市场。现在，Spansion又推出了强大的革命性MirrorBit Eclipse架构，为多功能手机及多媒体便携设备提供更高性能和更低成本，显著降低手机OEM厂商存储子系统材料(BOM)成本。
MirroBit Eclipse工作原理
完整的阵列可以在相
关键字：
嵌入式系统 单片机 架构 闪存 MCU和嵌入式微处理器
nand 闪存介绍
您好，目前还没有人创建词条nand 闪存!
欢迎您创建该词条，阐述对nand 闪存的理解，并与今后在此搜索nand 闪存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473