- 东芝(Toshiba)半导体部门的CEO兼总裁ShozoSaito称，东芝无法满足对其NAND闪存芯片的需求，订单已经排到了12月份。 Saito表示，东芝只能满足客户订单需求的70%。但是，东芝对NAND闪存芯片平均售价的前景并不乐观。本周，Saito在接受采访时说，目前有利的一面是需求相当强劲，我们计划大幅度提高产量，满足迅速增长的需求。 大多数的NAND闪存需求来自嵌入设备市场，其中包括MP3播放机、优盘等产品，闪存卡只占需求很少的一部分。Saito说，东芝将专注于嵌入式设备
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嵌入式系统 单片机 东芝 闪存 芯片
- 据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)进军闪存市场的计划明显遇到了阻力。
早在2005年的时候，以色列的赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯国际签订了一份晶圆代工协议。在赛芬的帮助下，中芯国际公司去年决定进军存储卡市场。中芯国际扩充了专利授权范围，获得了使用氮氧化合物闪存技术的权利，目的是开发和生产存储卡。
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中芯国际 闪存 存储器
- Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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- 摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
关键词：NAND Flash 数据存储 C8051F
引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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NAND Flash 数据存储 C8051F MCU和嵌入式微处理器
- 九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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嵌入式系统 单片机 NAND 闪存 嵌入式
- 据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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- 东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab
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消费电子 东芝 SanDisk 闪存 消费电子
- 东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab 4在开始阶段将采用56纳
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消费电子 东芝 SanDisk 闪存 消费电子
- iSuppli分析指出，在2011年，配置闪存的PMP的出货量将从2006年的590万台增长到1.502亿台，增长25.5倍。配置闪存的PMP2007年的出货量将达到5480万台，几乎是2006年的9倍。PMP是指能够播放视频并且配置合适的彩色显示屏的MP3播放机。同时，配置硬盘的PMP的出货量将以更温和的速度增长。2011年配置硬盘的PMP的出货量将从2007年的2930万台增长到3530万台。NAND闪存成本已经下降到MP3音乐播放机厂商能够增加足够的容量支持视频内容的程度。视频比音频需要更多的存储容
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- 瑞萨科技公司宣布，作为带有片上闪存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7个家族30款新产品已经实现了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族适用的应用包括电源控制和电机控制，采用32引脚封装，而R8C/2H和R8C/2J采用20引脚封装。样品将于2007年8月28日开始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部带有片上闪存，并结合了高性能与易用性。增加的30款新产品将R8C/Tiny系列中的产品总数增加到268个。通过增加适用于如电源控制和电机控制
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- 1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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- 英特尔和意法半导体（STMicro）合并双方闪存部门的计划周一获得了欧盟委员会的批准。该合并计划得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 这笔交易将有助于合并后的公司实现规模化运营，解决闪存产品激烈的价格竞争，并可以使两家公司摆脱这个给他们的利润率带来重压的业务。双方今年5月首次宣布了这桩交易。 根据交易条款，意法半导体将向新成立的公司出售其闪存资产，英特尔将出售其NOR闪存资产及资源。做为交换，英特尔将得到合资企业45.1%的股权及4.32亿美元现金，意法半导
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- 致力于简化系统级存储验证和测试的业界组织 PISMO顾问委员会近日宣布，PISMO 2.0多媒体标准已通过审批。这一针对目前PISMO2.0规范的全新多媒体扩展版为芯片组和存储供应商增加了 MMC存储接口支持，从而满足手机和消费产品中存储丰富媒体内容的需求。PISMO™顾问委员会于2004年由Spansion和ARM创建，目前共有15家成员公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒体规范使设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种存
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- 美国英特尔2007年8月21日宣布，NOR闪存生产工艺将向65nm过渡。计划2008年上半年面向客户供应样品。该公司的闪存主要面向手机及数字家电等产品。该公司表示，生产工艺向65nm过渡将有利于提高性价比。 英特尔的闪存产品包括低成本产品“StrataFlash嵌入式存储器”和“嵌入式闪存”以及串行产品“串行闪存”等。
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