iSuppli分析指出，在2011年，配置闪存的PMP的出货量将从2006年的590万台增长到1.502亿台，增长25.5倍。配置闪存的PMP2007年的出货量将达到5480万台，几乎是2006年的9倍。PMP是指能够播放视频并且配置合适的彩色显示屏的MP3播放机。同时，配置硬盘的PMP的出货量将以更温和的速度增长。2011年配置硬盘的PMP的出货量将从2007年的2930万台增长到3530万台。NAND闪存成本已经下降到MP3音乐播放机厂商能够增加足够的容量支持视频内容的程度。视频比音频需要更多的存储容
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消费电子 0708_A 杂志_市场纵横 闪存 PMP 消费电子
瑞萨科技公司宣布，作为带有片上闪存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7个家族30款新产品已经实现了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族适用的应用包括电源控制和电机控制，采用32引脚封装，而R8C/2H和R8C/2J采用20引脚封装。样品将于2007年8月28日开始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部带有片上闪存，并结合了高性能与易用性。增加的30款新产品将R8C/Tiny系列中的产品总数增加到268个。通过增加适用于如电源控制和电机控制
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嵌入式系统 单片机 瑞萨 闪存 MCU 嵌入式
1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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嵌入式系统 单片机 FPGA NAND FLASH 嵌入式
iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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消费电子 三星 NAND 闪存 消费电子
英特尔和意法半导体（STMicro）合并双方闪存部门的计划周一获得了欧盟委员会的批准。该合并计划得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 这笔交易将有助于合并后的公司实现规模化运营，解决闪存产品激烈的价格竞争，并可以使两家公司摆脱这个给他们的利润率带来重压的业务。双方今年5月首次宣布了这桩交易。 根据交易条款，意法半导体将向新成立的公司出售其闪存资产，英特尔将出售其NOR闪存资产及资源。做为交换，英特尔将得到合资企业45.1%的股权及4.32亿美元现金，意法半导
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英特尔 ST NOR 闪存
致力于简化系统级存储验证和测试的业界组织 PISMO顾问委员会近日宣布，PISMO 2.0多媒体标准已通过审批。这一针对目前PISMO2.0规范的全新多媒体扩展版为芯片组和存储供应商增加了 MMC存储接口支持，从而满足手机和消费产品中存储丰富媒体内容的需求。PISMO™顾问委员会于2004年由Spansion和ARM创建，目前共有15家成员公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒体规范使设计者可以方便地在不同厂商提供的开发平台上测试多种存
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PISMO NOR NAND 闪存
美国英特尔2007年8月21日宣布，NOR闪存生产工艺将向65nm过渡。计划2008年上半年面向客户供应样品。该公司的闪存主要面向手机及数字家电等产品。该公司表示，生产工艺向65nm过渡将有利于提高性价比。 英特尔的闪存产品包括低成本产品“StrataFlash嵌入式存储器”和“嵌入式闪存”以及串行产品“串行闪存”等。
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英特尔 NOR 闪存
2006年Spansion取代英特尔成为最大NOR闪存供应商 市场调研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR闪存供应商的初步排名。 2006年全球NOR闪存供应商排名 “尽管2006年NOR市场扩张，但这年供应商的日子并不好过。”iSuppli的资深分析师Mark DeVoss表示。“虽然2006年不象2005年那样糟糕，但市场形势仍然严峻。2005年总体NOR销售额下降了15.5%，市场形势依然严峻，所有
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NOR 闪存 Spansion
在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升。 业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响，NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格，力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也调高了eTT DRAM内存的报价。 在三星向外界透露
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三星 NAND 闪存
NAND Flash供需出现进一步紧绷的状况。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大厂之Samsung工厂3日发生停电事故，导致市场产生供给量减少之预期亦是主因。然而合约价部份，由于厂商仍存在过度上涨，可能造成需求冷却之疑虑。因此，即使上涨也应止于小幅上扬。 Samsung之京畿道器兴市主力工厂3日发生大规模停电，生产NAND Flash等之6条生产线全部停止运转。虽然4日恢复运转，但原本部份制造中的产品将废弃。现阶段Samsung与市场上仍有一定库存量，9月份实际供给
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三星 NAND 闪存
据闪存技术的最大支持者之一称，闪存将“接管”整个世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“闪存峰会”上说，一方面，NAND闪存正在打跨竞争对手。NAND已经使1英寸硬盘失去了用武之地，现在，它又对1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸笔记本电脑硬盘构成了威胁。 他说，NAND下一个大市场将是视频，明年，市场上将会出现配置了更多闪存的相机和拍照手机。明年，市场上还将出现更多的闪存笔记本电脑。 在未来的5-7年内，NAND还将开始取代DRAM。由于技
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NAND 闪存
2007年NAND Flash价格走势戏剧化，但对下游厂商而言，可谓是几家欢乐几家愁，一线快闪记忆卡大厂乐得NAND Flash价格止跌反弹，终止长达1年的惨淡经营时期；然对于产业中的二、三线记忆卡厂而言，这波NAND Flash价格大涨的行情，反而不是什么好消息。因为小厂的拿货能力有限，当上游NAND Flash大厂供给一夕大减，连一线大厂都不见得拿得到足够的货源时，等于是宣判小厂正式出局！ 业界表示，这波NAND Flash价格上涨除了是苹果(Ap
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NAND 闪存 消费电子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash销售排名，南韩三星(Samsung)第二季市占率达43.9%，稳居全球龙头宝座，日本东芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大厂合计市占率达85.5%，市场集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暂缓产能扩充计划，加上大厂们新制程技术转换仍处调整期，因此整体NAND Flash位产出量仅维持与第一季相当水平，不过受惠于产品价格止跌大幅弹升1成以上水平，带动NANDFlash制造厂销售
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三星 NAND 闪存
NOR 和NAND 是闪存(Flash Memory)的两大主要类型，强调可靠性的NOR 主要用途在于应用程序和操作系统储存(Code Storage)，成本较低的NAND 则主要使用于数据储存(Data Storage)方面，近来由于手机、数字相机、数字音乐播放机、可携式媒体播放机(PMP)、机顶盒(STB)等终端产品的需求旺盛，带动两者销售量持续成长，尤其NAND 在苹果计算机推出的数字音乐播放机iPod 热卖
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闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。 DRAM报价一片涨声 根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价
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