NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人
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NAND NOR flash 集成电路 存储器
10月24日，对Spansion和中芯国际来讲都是一个重要的日子。Spansion公司宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）展开合作，将向中芯国际转让65纳米MirrorBit 技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。 中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion M
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据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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模拟技术 电源技术 IC 数据转换 NAND 模拟IC
10月21日消息，据外电报道，市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量增长率从原来的8%提高到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长，如DRAM内存出货量增长49%，NAND闪存出货量增长38%，接口集成电路出货量增长60%，数据转换集成电路出货量增长58%，汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称，如果2007年全球集成电路出货量增长率达到10%或者更高，这将是连续第六年的两位增长
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模拟技术 电源技术 集成电路 NAND 闪存
现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位闪存单片机，其中包括该公司首款集成片上高速12位模数转换器外设的USB及LCD单片机系列。三个新产品系列共备有16种集成高分辨率片上模数转换器的高性能PIC18单片机，扩展了Microchip通用PIC18F4523系列产品线并极大地丰富了客户的选择。 在这三个新产品系列中，PIC18F8723大容量存储器通用系列提供丰富的外设集以及高达10MIPS
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东芝(Toshiba)半导体部门的CEO兼总裁ShozoSaito称，东芝无法满足对其NAND闪存芯片的需求，订单已经排到了12月份。 Saito表示，东芝只能满足客户订单需求的70%。但是，东芝对NAND闪存芯片平均售价的前景并不乐观。本周，Saito在接受采访时说，目前有利的一面是需求相当强劲，我们计划大幅度提高产量，满足迅速增长的需求。 大多数的NAND闪存需求来自嵌入设备市场，其中包括MP3播放机、优盘等产品，闪存卡只占需求很少的一部分。Saito说，东芝将专注于嵌入式设备
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据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)进军闪存市场的计划明显遇到了阻力。
早在2005年的时候，以色列的赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯国际签订了一份晶圆代工协议。在赛芬的帮助下，中芯国际公司去年决定进军存储卡市场。中芯国际扩充了专利授权范围，获得了使用氮氧化合物闪存技术的权利，目的是开发和生产存储卡。
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Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
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引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab
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消费电子 东芝 SanDisk 闪存 消费电子
东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab 4在开始阶段将采用56纳
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