- 根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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- MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位闪存单片机，其中包括该公司首款集成片上高速12位模数转换器外设的USB及LCD单片机系列。三个新产品系列共备有16种集成高分辨率片上模数转换器的高性能PIC18单片机，扩展了Microchip通用PIC18F4523系列产品线并极大地丰富了客户的选择。 在这三个新产品系列中，PIC18F8723大容量存储器通用系列提供丰富的外设集以及高达10MIPS
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- 东芝(Toshiba)半导体部门的CEO兼总裁ShozoSaito称，东芝无法满足对其NAND闪存芯片的需求，订单已经排到了12月份。 Saito表示，东芝只能满足客户订单需求的70%。但是，东芝对NAND闪存芯片平均售价的前景并不乐观。本周，Saito在接受采访时说，目前有利的一面是需求相当强劲，我们计划大幅度提高产量，满足迅速增长的需求。 大多数的NAND闪存需求来自嵌入设备市场，其中包括MP3播放机、优盘等产品，闪存卡只占需求很少的一部分。Saito说，东芝将专注于嵌入式设备
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- 据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)进军闪存市场的计划明显遇到了阻力。
早在2005年的时候，以色列的赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯国际签订了一份晶圆代工协议。在赛芬的帮助下，中芯国际公司去年决定进军存储卡市场。中芯国际扩充了专利授权范围，获得了使用氮氧化合物闪存技术的权利，目的是开发和生产存储卡。
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- Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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- 摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。
关键词：NAND Flash 数据存储 C8051F
引 言
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈，受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制，可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Fla
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- 九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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- 据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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- 东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab
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- 东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab 4在开始阶段将采用56纳
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- iSuppli分析指出，在2011年，配置闪存的PMP的出货量将从2006年的590万台增长到1.502亿台，增长25.5倍。配置闪存的PMP2007年的出货量将达到5480万台，几乎是2006年的9倍。PMP是指能够播放视频并且配置合适的彩色显示屏的MP3播放机。同时，配置硬盘的PMP的出货量将以更温和的速度增长。2011年配置硬盘的PMP的出货量将从2007年的2930万台增长到3530万台。NAND闪存成本已经下降到MP3音乐播放机厂商能够增加足够的容量支持视频内容的程度。视频比音频需要更多的存储容
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- 瑞萨科技公司宣布，作为带有片上闪存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7个家族30款新产品已经实现了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族适用的应用包括电源控制和电机控制，采用32引脚封装，而R8C/2H和R8C/2J采用20引脚封装。样品将于2007年8月28日开始在日本交付。 R8C/Tiny系列MCU全部带有片上闪存，并结合了高性能与易用性。增加的30款新产品将R8C/Tiny系列中的产品总数增加到268个。通过增加适用于如电源控制和电机控制
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- 1 引言在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个控制器，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH控制器的设
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- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星电子(Samsung)NAND闪存销售额达到14亿美元，比第1季度的12亿美元增长18.9%。三星在2007年上半年将部分产能从DRAM转向NAND闪存，该公司的NAND市场份额猛增至45.9%，比1季度的44.1%高几乎两个百分点。 iSuppli内存/存储系统首席分析师NamHyungKim表示，“三星第2季度表现强劲主要是按容量计算增长11%，出货量增加归功于扩大苹果iPhone和iPod等消
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- 英特尔和意法半导体（STMicro）合并双方闪存部门的计划周一获得了欧盟委员会的批准。该合并计划得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。 这笔交易将有助于合并后的公司实现规模化运营，解决闪存产品激烈的价格竞争，并可以使两家公司摆脱这个给他们的利润率带来重压的业务。双方今年5月首次宣布了这桩交易。 根据交易条款，意法半导体将向新成立的公司出售其闪存资产，英特尔将出售其NOR闪存资产及资源。做为交换，英特尔将得到合资企业45.1%的股权及4.32亿美元现金，意法半导
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