nand 闪存 文章 最新资讯
NAND市场增长放缓芯片厂欲推迟建厂计划
- 日前，全球领先的闪存供应商晟碟和东芝公司在日本签署了一项合作协议，表示双方将共同兴建NAND闪存工厂(Fab5)，以应对未来市场对NAND闪存的需求，该工厂预计将于2010年投产。 市场研究公司AmericanTechnologyResearch分析师道格•弗里德曼(DougFreedman)表示：“我们相信大部分的投资者都希望Fab5工厂能够于2009年就可以投产，因为现在的供求关系依然比较乐观。” 但是闪存供应商们延迟其工厂兴建计划也再一次证明了NAN
- 关键字： 闪存 NAND
闪存分类和关键参数必读
- 大约在1984年，在受聘于东芝公司期间，Fujio Masuoka博士发明了一种独特的存储器件，具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除只读存储器(EEPROM)器件的理想特征。与RAM 和EEPROM一样，可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作，器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外，与RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存储器的容量容易提高。重要的是，与ROM和EEPROM相比，该芯片能长时期存
- 关键字： 闪存
ZigBee技术 无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。 关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统 1 NAND Flash和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手
- 关键字： NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 引 言 随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
- 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
商刊：英特尔NAND闪存面临多重问题
- 北京时间3月5日《商业周刊》文章指出，由于美国经济衰退导致电脑和消费电子产品销售增长减速，对英特尔的NAND闪存芯片业务的利润造成很大压力。 英特尔在2005年下半年宣布与美光科技组成合资公司，共同研发和生产一种名为NAND闪存的内存芯片，这种芯片被广泛应用于各种消费电子产品。两年多来，英特尔巧妙地避过了那些芯片的价格波动。 全球最大电脑芯片厂商英特尔在3月3日晚间宣布，它预计其第一季度毛利率将在54%左右，低于之前作出的56%的预期目标。主要原因在于：NAND闪存的价格低于预期水平。在第
- 关键字： 英特尔 NAND
NAND和NOR flash详解
- NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
- 关键字： NAND NOR flash
NAND闪存价格下降将推动需求增长
- 2月25日消息,闪存价格的下降已经伤害了一些半导体厂商的股票价格。但是，今天的痛苦可能会为明天的增长铺平道路。 NAND闪存芯片广泛应用于便携式媒体播放机、数码相机、硬盘和其它设备中。由于供过于求，2007年NAND闪存芯片的价格比2006年下降了60%。 但是，由于消费者喜欢数字音乐、图片和视频以及相关的便携式设备，NAND闪存芯片的需求也快速增长，2007年的需求量增长了大约170%。通过在一个更小的芯片中放入更多的闪存等生产方面的技术进步，闪存厂商能够把成本降低40%至50%。
- 关键字： 闪存
三星位居龙头 闪存芯片厂商营收排行
- 受到4Q07 NAND Flash价格剧跌的影响，品牌NAND Flash厂商3Q07整体营收表现微幅下跌成为US.8bn，比3Q07营收QoQ小幅减少了2.7%，由于3Q07末次级房贷所引发的金融市场风暴延烧到4Q07，造成传统欧美年终采购旺季需求不如预期，再加上主要NAND Flash供货商新的5Xnm制程产品在4Q07的产出量也较3Q07运转更顺畅，使得4Q07 NAND Flash整体产出比特QoQ成长约45%，因此也造成NAND Flash市场由3Q07的供货吃紧转为4Q07的小幅供过于求，
- 关键字： 三星 闪存 芯片
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