- 引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为...
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SJ-MOS VDMOS
- 上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
- X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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智能手机 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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介绍 改装 MOS 功放 舞台
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
- 英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
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英飞凌 MOS
- 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
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科锐 放大器 GaN
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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电路图 方法 改装 MOS 功放 舞台
- 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
- 这款单颗LED大功率手电筒是以单颗发光二极管(LED)作为光源的一种新型照明工具，它具有省电、耐用、亮度强等优点。可用于夜行、登山、野营、医用、维修等。且使用效果很不错。一、LED的选择现在大功率LED的功率有1W、
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LED Driver AMC7135 大功率 单颗 手电筒
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
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