To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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driver LED enhances Soft-start
This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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similar retrofit lamps and MR16 driver solution for
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
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驱动 电路 脉冲 发光二极管 C-MOS 与非门 采用
电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
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电路 定时 C-MOS 时间 设定
The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
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strings driver Boost long
美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
特点－
工作电压范围：5V~450V
支持四种调光方式：开关调光、脉冲信号(PWM)调光、DC调光（0~5V）、热平衡调光。
多重保护功能：LED开路保护、LED短路保护、过电流保护、过温度保护
支持隔离或非
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绿达 LED Driver
2008年，受到全球半导体市场衰退的影响，中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长，但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新，知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式，集成电路布图设计登记应得到更多的关注。
最近，中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告，本期刊登部分节选，供业界研究参考。
本报告数据
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NEC MOS 集成电路布图设计
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。
一些Mac计算机网站指出，《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。
虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机，但是，他和他的团队研制的这种计算机
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PC 廉价 处理器 MOS 6502
要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
gan mos driver介绍
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