- 基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
- 氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
- MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
- 前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电流也有最大限制，如果电流过大，比如外接负载短路，同样会被烧毁。短路都是非正常工
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防短路 MOS
- 我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
- 英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而
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GaN LED
- 英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。 利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。 相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波
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GaN LED
- 由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。
在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。
氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否
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GaN 场效应晶体管
- 第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会 时间：2016.01.14 下午 地点：深圳南山软件创业基地 IC咖啡 演讲主题: 新型GaN功率器件的市场应用趋势 演讲嘉宾: 蔡振宇 富士通电子元器件市场部高级经理 主持人：接下来开始第三场演讲。大家知道无论消费电子产品还是通讯硬件、电动车以及家用电器，提升电源的转换能效、功率密度、延长电池使用的时间，这已经是比较大的挑战了。所有这一切都意味着电子产业会越来越依赖新型功
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GaN 功率器件
- 未来虚拟现实和智能汽车成为焦点，VR将会引发的变革成了全产业链热议的话题，VR也必会给物联网产业带来变革，而对于IoT可能带来的更多变化，半导体厂商该如何应对?
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物联网 GaN
- 近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。有专家指出，第三代半导体材料是以低碳和智能为特征的现代人类信息化社会发展的基石，是推动节能减排、转变经济发展方式，提升新一代信息技术核心竞争力的决定性因素之一，有着不可替代的支撑作用。那么，这一迅速崛起的第三代半导体材料，能否让中国掌控新一轮半导体照明发展的话语权?
第三代半导体材料双雄：SiC和GaN
半
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半导体 GaN
- 当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
- DIGITIMES Research观察，传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目，氮化镓具有更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。
更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言
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GaN SiC
- 硅基GaN潜力大
近日，MACOM在京召开新闻发布会，MACOM全球销售高级副总裁黄东铉语出惊人，“由MACOM发明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大为降低，将取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也将取代GaA和LDMOS的大部分市场。”
图1 GaN的巨大潜力
如图1，左图绿饼是目前GaN的市场份额;如果把绿饼看成一张饼，就变成右图，右图的绿饼是目前GaN的市场，而未来潜在GaN射频是占绝大部分的蓝海。
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GaAs GaN
- 简介
功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术，由于其相对于硅材料所具有的优势，这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中，我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制，并讨论波形监视的必要性。
使用寿命预测指标
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使
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GaN
gan mos driver介绍
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