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gan mos driver 文章 进入gan mos driver技术社区

一种S波段宽带GaN放大器的设计

  • 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
  • 关键字： GaN  S波段  宽带  放大器    

GaN基量子阱红外探测器的设计

  • 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
  • 关键字： 设计  探测器  红外  量子  GaN  

电源变压器的MOS场效应管逆变器制作

  • 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
  • 关键字： 逆变器  制作  效应  MOS  变压器  电源  

舞台功放MOS管改装方法

  • 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
  • 关键字： 方法  改装  MOS  功放  舞台  

基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题，通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径，制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案，最终实现了重复频率80kHz，4kV脉冲源，实验验证了电磁兼容措施的
  • 关键字： 电磁兼容  问题  研究  脉冲  高压  MOS  开关  高频  基于  

MOS-FET与电子管OTL功放的制作

MOS—FET末级无负反馈蓄电池供电甲类6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙类功率放大器

MOS管驱动电路综述连载（三）

  • 相对通用的电路电路图如下：图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里只针对NMOS...
  • 关键字： MOS  驱动电路  

MOS管驱动电路综述连载（二）

  • 现在的MOS驱动，有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于...
  • 关键字： MOS  

MOS管驱动电路综述连载（一）

  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很...
  • 关键字： MOS  

MOSFET分析：选择一款节能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。...
  • 关键字： mos  

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
  • 关键字： mos/开关损耗  

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做
  • 关键字： 吸收  回路  RCD  管反峰  设计  MOS  开关电源  

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

  • 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
  • 关键字： 设计  功率放大器  GaN  一种  
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