科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
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科锐 放大器 GaN
以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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电路图 方法 改装 MOS 功放 舞台
电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
这款单颗LED大功率手电筒是以单颗发光二极管(LED)作为光源的一种新型照明工具，它具有省电、耐用、亮度强等优点。可用于夜行、登山、野营、医用、维修等。且使用效果很不错。一、LED的选择现在大功率LED的功率有1W、
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LED Driver AMC7135 大功率 单颗 手电筒
与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
SANE（Scanner Access Now Easy）是一个应用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了对光栅图像扫描硬件的标准访问[2]。Linux对扫描仪的支持就是通过SANE实现的。SANE标准中将实现SANE接口的驱
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Driver Linux SANE 自动化
硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在
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GaN LED 分析
电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
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电路 工作 原理 分析 驱动 脉冲 C-MOS 与非门 发光二极管
采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品 ...
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
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工作 原理 电路 定时 时间 C-MOS 设定
如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN，那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者：Vla...
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GaN LED
在当今社会，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说：英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
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GaN LED
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计，由于最大限度地利用了SiC器件的特点，从而大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化、高效化，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC MOS
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