- 特点－
工作电压范围：5V~450V
支持四种调光方式：开关调光、脉冲信号(PWM)调光、DC调光（0~5V）、热平衡调光。
多重保护功能：LED开路保护、LED短路保护、过电流保护、过温度保护
支持隔离或非
- 关键字：
绿达 LED Driver
- 2008年，受到全球半导体市场衰退的影响，中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长，但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新，知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式，集成电路布图设计登记应得到更多的关注。
最近，中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告，本期刊登部分节选，供业界研究参考。
本报告数据
- 关键字：
NEC MOS 集成电路布图设计
- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
- 关键字：
MMIC SiC GaN 衬底
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
- 关键字：
IR 功率器件 GaN 终端
- 美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。
一些Mac计算机网站指出，《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。
虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机，但是，他和他的团队研制的这种计算机
- 关键字：
PC 廉价 处理器 MOS 6502
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
- 0 引言
很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样，在更换维护插件板时，通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时，一般会产生很大的启动电流和电压波动，这些现象将影响设备的正常工作，甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时，插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗，此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件，或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。
所谓热插拔(Hot
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电路 热插拔 MOS 电源
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
- 关键字：
三极管 WiMAX Cree GaN
- 研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
- 关键字：
硅晶圆 GaN 200mm MEMC
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
- 关键字：
移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外”LED材料生长设备研制取得突破，我国首台具有自主知识产权的并能同时生长6片外延片的MOCVD设备研制成功。
该设备在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域具有广泛应用。MOCVD是半导体照明上游关键设备，目前国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部依赖进口。在此之前，杰生电气已先后研发出2英寸单片和2英寸3片的
- 关键字：
青岛杰生电气 MOCVD LED LD GaN
- 1 AB类功放驱动电路设计目标
在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放大器的线性度好，功率传递能力差，效率最大值为50%，导通角为360
- 关键字：
模拟技术 电源技术 驱动电 放大器 MOS
- 34063一种用于DC－DC电源变换的集成电路，应用比较广泛，通用廉价易购。
- 关键字：
升压 降压 功率 MOS
gan mos driver介绍
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