0 引言
很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样，在更换维护插件板时，通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时，一般会产生很大的启动电流和电压波动，这些现象将影响设备的正常工作，甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时，插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗，此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件，或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。
所谓热插拔(Hot
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电路 热插拔 MOS 电源
Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
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硅晶圆 GaN 200mm MEMC
要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
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移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外”LED材料生长设备研制取得突破，我国首台具有自主知识产权的并能同时生长6片外延片的MOCVD设备研制成功。
该设备在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域具有广泛应用。MOCVD是半导体照明上游关键设备，目前国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部依赖进口。在此之前，杰生电气已先后研发出2英寸单片和2英寸3片的
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青岛杰生电气 MOCVD LED LD GaN
1 AB类功放驱动电路设计目标
在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放大器的线性度好，功率传递能力差，效率最大值为50%，导通角为360
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模拟技术 电源技术 驱动电 放大器 MOS
34063一种用于DC－DC电源变换的集成电路，应用比较广泛，通用廉价易购。
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升压 降压 功率 MOS
新型单元是一种用于嵌入式系统的下一代微控制器片上非易失存储器的颇具前途的解决方案，它可以在1.5V电源电压条件下进行编程，且只需100μA的编程电流。 日立有限公司与瑞萨科技公司近日发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比，每个单元的功耗降低了50％。此外，相对于现有的非易失存储器，新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此，这些原型可在
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MOS 日立 瑞萨 存储器
LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战(2)
假设被测的是256色、384 LCD输出且具有Dot 翻转功能的IC，那么由公式可得需要测试的电压值个数为： 256（颜色深度）ｘ384（pin数）ｘ2(Dot 翻转） ＝196,608 一般的DC测试部件的测试时间为几到几十个uS，由此可知测试时间将会比较长。如果IC的色彩深度高一些的话（65535色），测试时间根本无法让人接受，因此在进行此类测试时需要使用数字采样器（Dig
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LCD Driver IC 液晶显示 LCD
LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战LCD显示器件在中国已有二十多年的发展历程，已经从最初的以数字显示为主转变为以点阵字符、图形显示为主。LCD显示设备以其低电压驱动、微小功耗、能够与CMOS电路和LSI直接匹配、具有极薄的扁平结构、可以在极亮的环境光下使用、工艺简单等等特点成为了极有发展前景的显示器件。 LCD显示器件种类繁多、发展迅速，从种类到原理、从结构到效应、从使用方式到应用范围差异很大，从测试原理上来说也就会有一些不同，目前比较常用的是STN和TFT的LCD显示器件。由
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LCD Driver IC 液晶显示 LCD
1994年6月，我国“七五”电子工业的头号工程———无锡微电子工程在中国华晶电子集团公司全面通过国家验收。该工程的重点2微米、3微米MOS超大规模集成电路生产线正式建成投产，代表了我国当时微电子工业大生产的最高水平。
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华晶电子 集成电路 MOS
gan mos driver介绍
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