- 引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为...
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SJ-MOS VDMOS
- 0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功率晶体管相比，具有输入阻抗高、热稳定性高、开关速度快、驱动电流小、动态损耗小、失真小等优点。因此VDMOS广泛应用在
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Arrhenius VDMOS 模型 可靠性
- 功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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研究 设计 200V VDMOS 大功率
- 摘要：介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析，并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标，通过器件和工艺的仿真，确定了该器件合理的参数
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研究 设计 VDMOS 大功率
- 在电动自行车里，直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成，六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里，因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。这六个VDMOS管通过大电流，它们的输出直接是定子的绕
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正确 使用 VDMOS 控制器 直流 电机 功率
- 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
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VDMOS 寄生电容
- 通过对DC／DC转换器低频噪声测试技术以及在y辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析，发现使用低频噪声表征DC／DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充。对DC／DC转换器辐照损伤与其内部VDMOS器件1/f噪声相关性进行了研究，讨论了引起DC／DC转换器辐照失效的原因。
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DC 相关性 研究 噪声 VDMOS 辐照 损伤 器件 转换器
vdmos介绍
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关
应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音
响、汽车电器和电子镇流器等。
特征:
接近无限大的静态输入阻抗特性，非常快的开关时间，导通
电阻正温度系数，近似常数的跨导， 高 [
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