- 前言人工智能/机器学习（AI/ML）改变了一切，影响着每个行业并触动着每个人的生
活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到
2019年，人工智能训练集增长了30万倍，每3.43个月翻一番，这就是最有力的证
明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进，摩尔定律在任何情况下都在放缓，这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今，训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
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ADAS ML DRAM 内存
- 如今智能手机的拍照摄像能力越来越强，不过手机的摄像头也越做越大，搞得现在许多手机不仅更加厚重，而且摄像头的凸起部分也越来越多。而这些都与CMOS尺寸变大和单像素面积增大有关，三星也发现了这一问题，并于近日推出了四个单像素0.7μm大小的ISOCELL图像传感器。这四个CMOS分别为1亿800万像素的HM2、6400万像素的GW3，4800万像素的GM5以及3200万像素的JD1，它们相比0.8μm单像素的CMOS均要缩小15％，并可让相机模块的高度减少了10%。由于外形尺寸较小，因此这4颗CMOS可以有效
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三星 CMOS
- 实现DRAM量产后，预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场，下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的16Gb（吉字节）LPDDR5移动DRAM，开创业界先河。 三星电子 16GB LPDDR5 三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（
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EUV10 纳米级 LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全
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三星 LPDDR5 DRAM
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 近日开始备货Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。这些光耦合器在输入端和输出端之间具有1500VDC电气隔离，设计用于航空电子、生物医学材料、雷达、航天、监控系统、仪器仪表和军事通信等应用。OLI300和OLS300光耦合器适用于将晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 连接到低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑 (LSTTL)。这两款光耦合器还适合用在互
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TTL CMOS LSTTl LEd
- 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
- 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
- 随着半导体制程不断发展，嵌入式系统开发人员受益良多，但这却为应用处理器用户带来一个难题——用户需要对其设备及收发的数据进行高度安全保护。因为生产应用处理器所采用的CMOS制程，与储存启动码、应用程序代码、以及敏感数据的非挥发性芯片内建NOR Flash使用的制造技术之间差异越来越大。虽然当今先进应用处理器大多是采用次10纳米的制程，NOR Flash制程却因技术上的基本物理特性限制而落后好几代。如今，浮栅闪存电路仍应用于40纳米以上制程所制造的器件。换言之，闪存无法嵌入最先进、最高效能的处理器芯片内。因此
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IoT CMOS SPI
- 据台湾媒体报道，台积电扩大了与索尼 CIS(CMOS 图像传感器，CMOS Image Sensor，简称 CIS)代工合作。台积电 台积电旗下关联企业采钰，以及供应链成员将一起吃下索尼 “超级大单”。应索尼后续需求，采钰、同欣电进入战斗状态，正扩建 CIS 后段封测、材料及模组组装产能。 台积电积极规划在竹南打造全新的高阶 CIS 封装产能，相关开发计划本月初正式动工兴建，预计明年中完工，预计将斥资新台币 3000 亿元，成为台积电先进封装的最大生产据点，首批进驻即是帮索尼代工的 CIS 封装产线。
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台积电 索尼 CMOS 图像传感器
- 7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 汽车半导体市场在过去十年间保持连续增长，丝毫没有放缓的迹象。汽车行业的发展主要源于管控汽车的几乎各个方面都采用了电子器件，而安全标准的提升以及从半自动到全自动电动汽车的发展，也使汽车行业的增长更加稳固。图1显示，尽管2016年至2022年的汽车产量预计将增长13%，但汽车电子器件预计同期将从1990亿美元增长至2890亿美元，增幅达45%。图1同时还显示，每辆车的电子器件价格以“曲棍球棒曲线”形式增长 — 从2016年的每辆车2000多美元增长到2022年的每辆车2700美元。图2显示了汽车驾驶自动化各等
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CMOS CIS MCU MEMS OSAT
- 有用的物联网（IoT）程序被应用于几乎所有行业的纵向分支中，并有效扩展了旧有系统的实用性。例如，出于安全目的，住宅、商业和工业设施正在使用可视门铃。这些服务已经存在数十年，但通常仅限于可通过闭路电视网络提供昂贵的双向音频和单向视频功能的高端设备。但是，现在物联网技术无需大规模的同轴电缆或以太网基础结构即可实现此级别的安全性。本文将仔细研究与可视门铃相关的一些视频、音频和电源设计难题，以及解决这些难题所需的技术进步。无缝用户体验传统的可视门铃系统涉及使用按铃、麦克风和摄像机。这些系统通常被硬连接到电源，而视
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DSP CMOS PIR MCU IoT
- 近日，全球知名半导体市场咨询机构ICInsights发布了《全球光电子、传感器和分立器件市场报告（OSDReport）》，报告显示，因为受到2020年新型冠状病毒导致的肺炎疫情带来的影响，全球CMOS图像传感器的销售量将在十年来出现首次下降，但到了2021年将会出现创记录的新高。 CMOS图像传感器的销售额于2019年激增30%之后，在2020年将降至178亿美元。这份长达350页的报告显示CMOS图像传感器的销售额在2021年将会出现15%的反弹，达到204亿美元的历史新高。当然，这是建立在全球疫
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CMOS 传感器 数字成像
- 随着安防行业边界的不断消融，场景的拓展、技术的突破等因素都在推动其发展成为一个多面生态的现代化概念。而伴随着安防视频系统的不断革新发展，更高清、场景适应性更强的图像传感器日渐成为刚需。近日，技术领先的CMOS图像传感器供应商思特威科技（SmartSens），以客户需求为出发点，正式推出了聚焦新安防应用的高阶成像（AI，Advanced Imaging）系列CMOS图像传感器的首款产品 — SC200AI。思特威希望以该系列产品为客户带来更高性能、适应性更广的高阶成像产品，以赋能未来在“新基建”催
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新基建 CMOS 高阶成像
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