DRAM芯片涨价不断，三家垄断企业赚翻了天，净利润高达50%以上，对于很多中小企业而言，它们也想改变DRAM市场的格局，很多国家想过通过“反垄断”改变行业现状，但仍旧无济于事。
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DRAM 芯片
2017年，CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)市场规模为139亿美元，Yole预计未来五年的复合年增长率(CAGR)为9.4%。这主要受益于几乎各种应用领域的CMOS图像传感器市场都出现了显著增长，尤其是手机领域，同比增长高达20%! 2016年和2017年CMOS图像传感器市场(按照应用领域细分) CMOS图像传感器产业从占据42%市场份额的全球龙头企业——索尼(Sony)的运营复苏中获益，以较高的增长速度发展，并已成为半导体行业中关键的组成部分!行业领先者三星(S
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CMOS 图像传感器
毫无疑问，日渐火热的自动驾驶技术将成为过去50年来最具影响力的技术之一。自动驾驶的实现，能够挽救数百万人的生命，释放无数耗费在驾驶中的时间，并有望缓解扰人的交通拥堵。尽管目前还没有实现真正的自动驾驶，但是，任何新的、有意义的进展，都在为我们描绘那个值得期待的未来。 当我们谈及自动驾驶领域的知名厂商时，可能会率先想到特斯拉(Tesla)、英伟达(NVIDIA)、甚至是英特尔(Intel)的Mobileye等曝光度较高的名字。但是，这个领域还有一家值得关注的企业，正通过积极的布局和稳健的成长，或将在不远
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CMOS 图像传感器 安森美
内存涨价今年底也要到头了，投行机构也看衰内存行业前景，认为明年内存价格会跌，不过在内存业内厂商来看，内存市场已经变天了，已经变成寡头垄断，不能再用以前的涨跌周期来看待了。
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DRAM，
今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5内存颗粒的正式量产。对此，有投资者在互动平台上提问，这是否会对紫光国微的DDR4前景造成影响?
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紫光国微，DRAM
摘要：针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电
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带隙基准电压源 温度系数 共源共栅 CMOS
近日国际半导体产业协会SEMI公布了最新的中国集成电路产业生态系统报告，报告显示，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16%，到2020年，这一份额将增加到20%。受跨国公司和国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。 2014年中国成立大基金以来，促进了中国集成电路供应链的迅速增长，目前已成为全球半导体进口最大的国家市场。SEMI指出，目前中国正在进行或计划开展25个新的晶圆厂建设项目，代工厂、DRAM和3D
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晶圆 DRAM 3D NAND
作为摄像头模组中的一大关键零组件，CIS(CMOS图像传感器)的应用及市场也迎来了新一波的“热浪”，加速智能手机产业“去伪存真”。
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AI CMOS
IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%。预计存储器IC占2018年半导体支出的53%，其中，闪存占资本支出的份额最大，而DRAM资本支出今年将以最高的速度继续增长。 如图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存尤其是DRAM和闪存生产，包括对现有晶圆厂产线和全新制作设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%，达到
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存储器 DRAM
半导体元器件缺货涨价潮正持续蔓延。继MLCC、MOSFET等元器件缺货涨价之后，手机摄像头的关键器件——CMOS图像传感器(CIS)也频传供货紧缺，开始涨价。 业内人士向集微网透露，今年下半年以来，三星、OminiVison(以下简称“OV”)的CMOS芯片供货紧张，部分型号的产品产能紧缺，供不应求。 供应链厂商向集微网记者透露，目前三星已经正式向其代理商发布涨价通知，从8月份开始，三星CMOS芯片价格涨幅5-20%，现已开始执行。 CMOS芯片为什么会缺货? 众所周知，全球CMOS传感器(C
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三星 CMOS 芯片
TTL电平最常用于有关电专业，如：电路、数字电路、微机原理与接口技术、单片机等课程中都有所涉及。在数字电路中只有两种电平(高和低)高电平+5V、低电
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TTL CMOS 逻辑电平
8月20日，研究机构ICInsights发布了2018年上半年全球半导体供应商Top15榜单，三星位居第一位，英特尔位居第二位。不过遗憾的是，中国大陆暂时没有公司进入这个榜单的前15名。 根据发布的数据显示，三星、英特尔、SK海力士、台积电、镁光排名榜单的前五位，相较于去年同期，这几家公司都有比较明显的增长，特别是三星、SK海力士以及镁光，分列六至十五位的分别是博通、高通、东芝\东芝内存、德州仪器、英伟达、西数\闪迪、英飞凌、恩智浦、意法半导体和联发科。这里，英伟达数据最为抢眼，相较于去年同期，英伟
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DRAM NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了图像处理内存(graphicDRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。 展望第三季价格走势，DRAMeXchange指出，PC-OEM厂已陆续在七月份议定合约价格。就一线大厂定价来看，均价已来到34.5美元，较前一季上涨约1.5%
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DRAM 美光
在当今群雄逐鹿、竞争激烈的可穿戴市场中，获得成功的关键在于差异化的产品特性和服务。制造商和服务提供商竞相争夺同样的可穿戴ldquo;市场大饼rdq
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可穿戴产品 ARM CMOS
之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电流组成。文章结尾引出了一个警示，这些漏电流随着温度
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温度 电流 CMOS 二极管
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