- 摘要：针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电
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带隙基准电压源 温度系数 共源共栅 CMOS
- 电阻是大家学习电路过程中首先接触到的器件，可能很多人觉得电阻没什么神秘的。其实，电阻除了阻值之外，还有许多参数在实际使用过程中需要大家注意，下面我给大家一一道来。
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电阻 温度系数 额定功率 封装 耐压
- 电容的类别、参数、技术细节非常多，不同材质的电容在技术参数上差别很大，所以，在一篇文章里面讲明白是非常困难的。下面我就斗胆抛砖引玉，给大家谈谈电容相关的一些知识。
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电容 电解电容 温度系数 ESR 电容器
- 摘要：在传统Brokaw带隙基准源的基础上，提出一种采用自偏置结构和共源共栅电流镜的低成本多路基准电压输出的CMOS带隙基准源结构，省去了一个放大器，并减小了所需的电阻阻值，大大降低了成本，减小了功耗和噪声。该
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带隙基准源 多路基准电压输出 温度系数 Cadence
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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线性NTC 温度传感器 温度系数
- 电路的功能传感器温度系数比较小时，可用多种方式进行温度补偿，但是如果温度系数过大，有瞬间漂移，则必须大幅度地补偿传感器的放大系数。本电路的目标是抵消+2%/°C的温度系数。可在传感附近安装半导体温度传感器进
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温度系数 温度补偿电路
- 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，在其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响，以及各个晶胞单元等效电路模型，就会发现，上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立，而在
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MOSFET RDS ON 温度系数
温度系数介绍
温度系数（temperature coefficient）：表征元器件温度敏感性的参数。通常用某个电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度数之比来表示，由元器件生产厂提供。当环境温度上升时，元器件的有关参数值也上升，称为正温度系数；反之为负温度系数。例如稳压管，稳定电压在6伏以上时，温度系数为正； 6伏以下时，温度系数为负。
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